负性光刻胶显影剂是用于显影曝光负性光刻胶的高纯度有机溶液。
为各种负性光刻胶提供了范围广泛的溶剂显影剂专有混合物。它们的配制是为了补充所使用的抗蚀剂系统。开发人员是根据特定加工条件所需的活动水平来选择的。
发展：
在显影周期中，未曝光的光刻胶通过显影冲洗系统、喷涂或浸渍去除，根据曝光的图像留下受保护的基材。要获得非常精细的线条分辨率，建议使用喷雾显影。浸入式显影适用于不太重要的几何形状，即 7µ 或更大的线宽和间距，尤其是在使用机械或氮气鼓泡的情况下。典型的喷涂循环和浸没循环如下表所示。
典型喷雾周期：
典型的浸入式开发周期：
硬烘烤（预蚀刻）：
在硬烘烤期间，去除显影溶剂，并在对流烘箱中以 140℃ ± 5°C 的烘烤温度烘烤 25 ± 5 分钟，以增强抗蚀剂和基材之间的粘合力。红外线烘烤时，水面温度应保持在140℃±5°C。应该注意的是，红外线能量会影响不同基材的温度不同。建议硬烘烤和蚀刻之间的最长间隔时间为四小时。
蚀刻：
光致抗蚀剂与酸性和碱性金属蚀刻剂以及缓冲氢氟酸兼容。蚀刻速率由温度、搅动和蚀刻混合物决定。由于半导体行业中使用的不同蚀刻剂有不同的专有性质，对光刻胶有不同影响。可以在任何常见的常规化学系统中去除光刻胶。
