伴随着 CMOS 技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小，传统 CMOS 工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于 PMOS 驱动电流的要求。在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅（SiGe）外延技术来加大 PMOS 的压应力，以此提高器件的整体响应速度。而在锗硅（SiGe）外延技术中，西格玛沟槽刻蚀是影响 PMOS 驱动电流的关键工艺步骤。西格玛沟槽刻蚀的关键尺寸的稳定性决定了器件性能的稳定性。
工艺问题提交
