氢氧化钾 (KOH) 蚀刻是一种湿法化学蚀刻工艺，用于在硅中创建空腔。高腐蚀性碱性化合物 (pH > 12) 与去离子水和热调节结合使用。蚀刻速率有限；Si 蚀刻的精度取决于整个纳米化学过程的一致性。该工艺可实现制造 Si 晶圆的最佳精度。此外，KOH 蚀刻工艺可以自动化以提高效率并降低成本。这种蚀刻工艺已在研究和实际应用中得到广泛研究。
KOH 蚀刻的优势包括：KOH 安全且易于处理;提供快速蚀刻的可重复过程;与其他蚀刻工艺相比成本更低;非常适合批量生产。
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