如果硅片表面有污染物残留，如光刻胶残留物的有机物、刻蚀产生的聚合物、注人和刻蚀的等离子腔里产生的金属颗粒，这些缺陷和粒子就会成为结晶过程中的成核点，导致形成的二氧化硅膜呈多晶状态。所以，氧化之前的清洗工艺非常重要，必须把粒子、有机和无机污染物、自然氧化层和表面的缺陷消除。
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