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氧化锌半导体在酸溶液中的湿刻蚀研究
氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率，非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体，在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题...
超薄半导体晶圆应用及工艺
集成电路功能的持续发展现在以整个系统中所有电子元件的集成为目标。这项研究基于许多不同的半导体工艺。这些过程中的每一个在功能方面都有不同的属性，例如速度、功率等。有三个因素集中在更薄的晶圆上:对芯片卡和射频识别的低封装高度的需求，对更高功率的...
3月全球半导体：俄乌冲突，异构计算
费城半导体指数近一月下跌 7%，俄乌冲突导致避险情绪升温过去一月（2.11-3.11）SOX 在波动反弹后出现了连续第三个月的下跌，跌幅6.57%，形成了历史少有的连续三个月的下跌；同期纳指下跌 6.87%，其中代工、存储板块跌幅居前，分别...
7月共51家中企上市，半导体及电子设备行业上市数量居首位
根据清科创业（01945.hk）旗下清科研究中心数据，2022 年 7 月共有 51 家中国企业 1在境内外交易所成功上市,总融资额约 541.31 亿人民币。其中境内上市中企共 34 家，数量较上月有上升，总融资额约 381.52 亿人民...
薄膜涂层对半导体的重要性
无论从技术还是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是巨大的。现在的大部分电子产品，比如电脑、手机或者数码录音机，都和半导体有着非常密切的关系。随着越来越多的设备连接到物联网并在物联网上蓬勃发展，无线连接和速度是一个问题；第二，防水或防水的移...
氮化铝半导体简介
一、半导体材料的发展1、第一代半导体:以Si、Ge半导体材料为代表； 2、第二代半导体:以GaAs、InP半导体材料为代表； 3、第三代半导体:以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等几种宽带隙半导...
碳化硅陶瓷材料综述
碳化硅陶瓷(SiC)是一种含硅和碳的先进陶瓷材料。它在自然界中作为极其罕见的矿物碳硅石出现，自1893年以来，合成SiC粉末已被大量生产用作磨料，碳化硅颗粒可以通过烧结结合在一起，形成非常坚硬的陶瓷。随着现代国防、核能和航天技术、汽车工业、...
氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和栅极氧化物沉积
Abstract: The literature on polar Gallium Nitride (GaN) surfaces, surface treatments and gate dielectrics relevant to me...
华虹半导体（无锡）有限公司12英寸集成电路制造项目国际招标公告
招标项目名称:华虹半导体（无锡）有限公司12英寸集成电路制造项目招标产品列表(主要设备): 晶圆洁净设备招标文件领购开始时间:2023-01-29招标文件领购结束时间:2023-02-03投标截止时间（开标时间）:2023-02-20 09...
用湿化学蚀刻技术制造半导体
INTRODUCTION Semiconductors such as InGaP and InGaAsSb are important for lightemitting devices as well as communicatio...