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从缓冲氧化物蚀刻剂中将铜沉积到硅晶片上
引言已经研究了从缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)到裸硅、二氧化硅和图案化硅水的铜沉积。在二氧化硅表面上不会发生沉积，而在图案化的二氧化硅区域1上观察到的沉积水平介于裸硅和二氧化硅上的沉积水平之间。每次浸入BOE溶液后，晶片清洗的持续时间、硅材料以...
BOE湿蚀刻的硅二氧化
INTRODUCTIONBuffered oxide etch (BOE) is used to remove SiO2. BOE is a very selective etchant, meaning that it stops at...
在 BOE 溶液中对熔融石英玻璃微结构进行深度多级湿法蚀刻
摘要对于微机械、微流控和光学设备的制造，熔融石英玻璃是一种具有化学耐受性、优良的光学、电气和机械性能的材料。湿法刻蚀是制造这些微设备的关键方法。由于刻蚀溶液的强腐蚀性，保护膜完整性的保持是一个巨大的挑战。在这里，我们提出了一种基于熔融石英深...
半导体资料丨颗粒、表面清洗工艺、熔融石英玻璃、硅腐蚀
半导体应用中颗粒形成、传输、沉积和过滤的基础研究 在半导体制造过程中，防止和控制颗粒污染是提高半导体产率的关键。为了控制和减少半导体制造过程中的纳米颗粒污染，应该同时研究颗粒的形成、输运、沉积和过滤。本文研究的目的是1)证明无颗粒环境中的颗...