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PTFE一体槽
容量内尺寸（长*宽*高 mm）5.4L260*130*1608.5L200*200*20010L230*200*22010L327*197*16513.5L250*240*23018L250*240*30032L415*245*31560L...
标准清洗槽中的质量参数的监控方法
高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制，以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量，同时提高生产率和盈利能力。 硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此，表面准备是获得干净、镜面抛光、未受损硅表...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
硅中深窄沟槽的低温蚀刻
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示，在5 μm的平均蚀刻速率下，2 pm宽的沟槽蚀刻到50 pm的深...
蚀刻掩模及蚀刻溶液对InP微加工形成V 型槽的影响
引言p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，...
亚微米沟槽冲洗和清洁
引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清...
300mm直径硅片湿洗槽出水口设计
实验和数值研究了间歇式300mm直径硅片湿法清洗槽出口对水运动的影响，以快速去除槽中的污染物。设计并评估了由靠近水槽侧壁顶部边缘的针孔阵列组成的出口以及普通溢流出口。实验表明，在同时具有OF-出口和PA-出口的浴中，用作示踪剂的蓝色墨水的量...
化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影响
在总化学物质供给量不变的情况下，具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗，这是环境友好的，并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时，与具...