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Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附力以及添加剂对颗粒粘附和去除的作用。清洁溶液。加入柠檬酸后，由于柠檬酸盐...
SILTERRA清洗液在 CMP 后氧化工艺中的应用
简介在化学机械平坦化(CMP)抛光工艺之后去除晶片上的残留物是非常重要的，因为这些残留物会对晶片造成各种缺陷。自20世纪80年代以来，在抛光处理之后，氢氧化铵溶液或其混合物已经被用于去除颗粒和污染物。通过混合水、过氧化氢和氢氧化铵制备的被称...
SILTERRA清洗液在 CMP 后氧化工艺中的应用
在化学机械平坦化(CMP)抛光工艺之后去除晶片上的残留物是非常重要的，因为这些残留物会对晶片造成各种缺陷。自20世纪80年代以来，在抛光处理之后，氢氧化铵溶液或其混合物已经被用于去除颗粒和污染物。通过混合水、过氧化氢和氢氧化铵制备的被称为标...
化学机械研磨技术研究发展趋势
化学机械抛光(CMP)是一种涉及化学表面反应和机械研蚀作用的材料去除工艺，是获得超高精度特征的高质量半导体表面的必要制造工艺。我们对基底材料和磨料颗粒进行了实验和分析研究，为了减少微划痕的产生，了解摩擦与磨粒行为的产生机制之间的关系是至关重...
CMP后清洁
1.INTRODUCTIONWith the rapid shrinking ofthe device dimensions and the strict requirements ofachieving extremely smooth ...
交叉污染对CMP后清洗过程的影响
Scaling of gate lengths has led to signifificant improvement in semiconductor device performance. However, fabrication c...
刷处理顺序对CMP清洗过程中交叉污染的影响
1. Introduction Defect control is the most critical parameter in semiconductor manufacturing for yield enhancement and d...
CMP后晶片表面金属污染物的清洗方法
Abstract: This paper presents a new cleaning process using boron-doped diamond (BDD) film anode electrochemical oxidatio...
Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
Cu has been widely accepted as an interconnection material in deep submicrometer multilevel device applications because ...
聚硅薄膜上的CMP后新型清洁解决方案
Abstract—In this study, various cleaning solutions containing chelating agents with carboxyl acid group ( COOH), such as...