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镓特半导体科技--氮化镓晶圆片项目
镓特半导体自支撑氮化镓研发及产业化项目，是由美国能源部桑迪亚国家实验室李起鸣团队带队，致力于大尺寸、低成本、自支撑氮化镓衬底的研发及产业化成果。目前已成功开发出厚膜应力控制技术、自剥离工艺、激光切割工艺和研磨抛光工艺。初步具备自支撑氮化镓晶...
在n型氮化镓上使用氧化镓电介质的金属氧化物半导体器件
最近，在III族氮化物化合物半导体的外延生长方面取得了令人印象深刻的进展。这些半导体已经广泛应用于电子器件和光电子器件。III族氮化物化合物半导体具有优异的性能，包括宽带隙、高临界击穿场和高电子饱和速度，这在过去十年中促进了III族氮化物基...
基于氮化镓的高速、低噪声的紫外线光电探测器
摘要由于晶体生长技术和器件制造工艺的进步，氮化镓近年来一直是人们强烈关注的焦点。其直接的宽带隙使其成为各种探测器应用的理想选择，例如紫外(UV)天文学、火焰探测和发动机监控，在这些应用中，恶劣的工作环境利用了材料的天然耐久性和可见的盲目性。...
基于氧化的 AlGaN 或 GaN 异质结构湿法刻蚀方法
氮化镓（GaN）及相关铝基合金(AlGaN)是下一代高频和高功率的优秀电子材料。然而，到目前为止，砷化镓基材料的湿蚀刻技术很少，因为它们在化学和物理上都是使用干蚀刻。干法蚀刻技术通常利用强的物理蚀刻成分，可能导致离子对半导体的损伤和较差的选...
氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻
光增强电化学（PEC）湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点，但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道，在蓝宝石基质上生长的氮化镓的均方粒根粗糙度在16nm之间，在尖晶石基质上生长...
氮化镓表面常温湿法清洗工艺
AbstractThe wet cleaning process at room temperature hasbeen developed for formation of the ultraclean GaN surface. The ...
氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和栅极氧化物沉积
Abstract: The literature on polar Gallium Nitride (GaN) surfaces, surface treatments and gate dielectrics relevant to me...
氮化镓基晶体管
1. Introduction The gallium nitride materials system has established itself as extremely important for next generation o...
不同电解质对多孔氮化镓的影响
1. IntroductionOver the last decades, nanocrystalline semiconductors have been widely studied, due to their physical pro...
氮化镓的大面积光电化学蚀刻
Introduction: The development of effective processing methods for GaN and related materials remains an important researc...