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在碳酸氢钠溶液中单晶硅各向异性蚀刻法制备的微结构
本文研究了基于碳酸钠和碳酸氢钠混合溶液在不同条件下制作单晶硅片微结构的方法。根据表面形态大小和覆盖率对纹理化过程进行了评估。实验表明，Na2CO3浓度的影响通过在5 wt%和30 wt%之间改变浓度是显著的。结果表明，随着Na2CO3浓度的...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构
近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明...
单晶片超音波清洗机的声学特性分析
单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英棒到晶片。声音可以从石英棒沿径向和轴向传播...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
次氯酸钠对单晶硅表面的纹理蚀刻
单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔，它们在器件中有很大的应用。通过碱性蚀刻剂对硅(100)的单晶结构进行的表面纹理化被称为“随机金字塔”。晶体硅的表面纹理化通过使用不同的...
氮化铝单晶的湿法化学蚀刻
引言氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而，GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化镓之间的化学相容性和晶格/热膨胀匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延...
O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89 eV，熔点2248 K，高激子结合能60 meV，即使在高温下也能产生有效的激子光学跃迁...
O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89 eV，熔点2248 K，高激子结合能60 meV，即使在高温下也能产生有效的激子光学跃迁...