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单晶硅的完整 3D蚀刻轮廓分析
We have developed an anisotropic-chemicaletching process simulation system, MICROCAD, which is equipped with a database ...
单层和双层石墨烯大单晶的化学气相沉积生长
The growth of large-domain single crystalline graphene with the controllable number of layers is of central importance f...
单晶超声波测量
A pulsed technique at 10 Mc/sec has been used to measure acoustic velocity and attenuation of several alkali halides and...
单分子单晶晶体中的激光振荡
This Communication reports for the first time on the clear evidence about laser oscillation in monolithic molecular sin...
金属间单晶和准晶体的高温溶液生长
Solution growth continues to be one of the most powerful techniques for the production of single crystals for basic and ...
DDMAF化学辅助抛光单晶硅
The need for polishing silicon wafer is to obtain a smooth surface for sprucing the semiconductor devices on the wafer ...
单晶圆清洗
CMP 后清洗的 PVA 刷（洗涤器）可以被认为是单晶圆清洗工艺，一些晶圆厂使用单晶圆蚀刻来进行背面减薄和层去除。兆声波（Megasonics） 可加快清洁过程，已添加用于清洁包含精细几何形状的表面上的颗粒、金属污染物和残留物。在 180 ...
单晶圆加工
单晶圆工艺工具提供多功能的自主工艺能力，具有纳米级的粒子控制，建立在高效的小占地面积上，涵盖晶圆尺寸达300毫米、薄晶圆、ICS、MEMS、LED、光俺模和玻璃基板，使用各种工艺化学品。主要特点：1、化学品和晶圆消耗量低2、占地面积小3、层...
高速单晶圆系统
缺陷率改善高速单晶圆产品现专注于改善缺陷率,这包括去除晶圆正面、背面和边缘的颗粒和残留物污染。 去除缺陷时不会对敏感结构造成物理损坏，也不会蚀刻薄膜。这是通过使用先进的物理清洁技术。 高速提供 4 或 6 室版本，每个版本都带有堆叠室以最大...
单晶硅纳米结构的金属辅助化学蚀刻技术
Metal-assisted chemical etching (MACE) is a simple, low-cost and versatile method of fabricating various silicon nanostr...