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三安半导体--磷化铟外延片项目
泉州三安半导体科技有限公司，是三安光电股份有限公司旗下全资子公司。具体包括七大产业化项目：高端氮化镓 LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓 LED 外延、芯片的研发与制造产业化项目；大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项...
含HF机清洁溶液中铜薄膜的腐蚀行为
引言 我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为，进行了电位动力学极化实验，以确定主动、主动-被动、被动和跨被动区域。腐蚀率是由塔菲尔斜坡计算出来的。利用电感耦合等离子体质谱ICP-MS和x射线光电子光谱XP...
氮化硅钝化层的选择性湿法刻蚀
氮化硅钝化层的选择性去除在半导体器件的失效分析中非常重要。典型的应用有:光学显微镜和去除表面污染物的模具表面清洁、电子显微镜、液晶、电压对比、电子束测试、机械微探针和选择性逐层剥离。开发了一种新的氮化硅钝化层湿法腐蚀工艺，这种工艺比铝金属化...
化学镀NiP-Pd沉积过程中铜和镍的腐蚀
介绍对于集成电路(IC)芯片，焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来，铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而，在过去十年中，它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同，铜易受环境退化...
硝酸浓度对硅晶片腐蚀速率的影响
引言薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术，因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产...
薄膜光伏组件中的腐蚀效应
引言对于在涂有氧化锡的玻璃基板上制造的薄膜光伏组件中，有时会观察到电化学腐蚀效应。电化学腐蚀效应可能发生在薄膜光伏(PV)模块中，这些组件在氧化锡镀覆玻璃上制造，在高压和高温下工作。目前的研究表明，这种腐蚀与玻璃中氧化锡层的分层有关，这是由...
铜薄膜在含HF清洗液中的腐蚀行为
引言铜是超大规模集成ULSI的金属化选择。在先进的微处理器中，铜布线现在被用于所有具有多达12个金属化层的互连层。原则上，互连是由金属线制成的电路径或电荷载体，并且被绝缘的层间电介质ILD材料分隔开。用铜代替铝合金要求在集成、金属化和图案化...
晶体硅光伏组件的腐蚀及其对性能的影响
The solar photovoltaic (PV) market is growing rapidly, with the cumulative global PV capacity growing from 100.5 GW in ...
强化化学清洗工艺的处理槽腐蚀研究
The Enhanced Chemical Cleaning (ECC) process is being developed and investigated bySavannah River Remediation (SRR) to a...
选择性湿蚀刻和腐蚀工艺的基础研究
As multistep, multilayer processing in semiconductor industry becomes more complex, the role of cleaning solutions and ...