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GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻
摘要本文用同步光电发射光谱法研究了无氧化物砷化镓表面与酸性(盐酸+2-丙醇)和碱性(氨水）溶液的相互作用。结果表明，两种溶液主要处理表面镓原子，分别形成弱可溶性氯化镓和可溶性氢化镓。因此，表面的Ga-As键断裂，元素砷留在砷化镓表面。此外，...
GaN/GaAs半导体结构的电学性能
GaNis是一种宽带隙半导体，可用作GaAs器件的绝缘体或传输层，也可用作近紫外和蓝光波长的光学材料。尽管氮化镓在GaAs器件技术中有潜在的应用，但是关于氮化镓-GaAs系统的报道很少。为了评估氮化镓作为GaAs绝缘或钝化材料的潜在应用，了...
在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成
到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后，晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度...
蚀刻掩模及蚀刻溶液对InP微加工形成V 型槽的影响
引言p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，...
晶圆表面处理和预清洁动态
介绍半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可有效去除天然GaAs氧化物。然而，对于在...
InGaAs 和 InP 层的清洁
InGaAs和InP层采用Ar和He直接等离子体结合湿式化学处理进行处理。InP表面比InGaAs处理对各种处理更敏感。适当和有效的处理用以提供影响表面和天然氧化物去除。我们已经证明，浓缩的盐酸溶液清洗后，He直接等离子体处理可以有效地去除...
旋转超声雾化液中新型处理GaAs表面湿法清
引言提出了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术的简单性和在GaAs表面产生的最小损害。它将GaAs清洗与三个条件结合起来，这三个条件包括(1)去除热力学不稳定的物质，和(2)在热清洗后必须完全去除表面氧化层，和(3)必须提供...
通过湿法蚀刻改善 InAs、InSb、GaAs 和 GaSb 表面状态
III-V半导体广泛应用于气体检测系统、光电探测器、光遗传学、生物医学应用、高电子迁移率和异质结双极晶体管、谐振隧穿二极管和自旋电子器件太阳能电池的制造。本文提出了各种湿法纳米处理的实验方法来解释在(NH4)2cr 2o 7–HBr–EG蚀...
旋转超声雾化液中新型处理GaAs表面湿法清洗
提出了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术的简单性和在GaAs表面产生的最小损害。它将GaAs清洗与三个条件结合起来，这三个条件包括(1)去除热力学不稳定的物质，和(2)在热清洗后必须完全去除表面氧化层，和(3)必须提供光滑...
GaAs 晶圆在 5G 中的作用
GaAs晶圆拥有强大的性能特性，使其成为快速发展的技术世界的理想选择，这些半导体正在推动移动通信的未来，所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度，但由于电子移动速度加快，所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。 5G是...