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锗上抗蚀剂剥离工艺
具有高k栅极电介质的锗和绝缘体上锗(GeOI)MOSFET由于锗比硅具有更好的载流子传输特性，最近受到了先进技术节点的关注。对于Ge或GeOI CMOS，必须确定Ge专用的抗蚀剂剥离工艺，因为锗与实际清洗溶液不兼容。初始相容性研究显示了在高...
用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
摘要在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于...
锗/GeSn的外延清洗
引言基于Ge/GeSn体系的半导体异质结构由于其特殊的能带结构以及在创新光电子器件和高性能微电子器件中的可能应用，最近引起了广泛的兴趣。1 基于拉伸应变Ge/GeSn虚拟衬底的多量子阱结构和超晶格已经被提议作为集成在硅基光子平台中的红外发光...
用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于65...
锗/GeSn的外延清洗
基于Ge/GeSn体系的半导体异质结构由于其特殊的能带结构以及在创新光电子器件和高性能微电子器件中的可能应用，最近引起了广泛的兴趣。1 基于拉伸应变Ge/GeSn虚拟衬底的多量子阱结构和超晶格已经被提议作为集成在硅基光子平台中的红外发光器件...
SiGe的蚀刻和沉积控制
AbstractEmbedded SiGe is applied in CMOS at recent technology nodes to improve device performance and enable scaling. ...
SiGe的选择性化学湿刻蚀
In this paper, a comprehensive study of the etching behavior of this high selectivity etchant is presented, including th...
用于Ge外延生长的GOI和SGOI衬底的表面清洁研究
An effective wet cleaning process, optimized for low temperature Ge epitaxy on thin Ge or SiGe structures with reduced ...
锗（Ge）晶圆清洗液开发
In this paper, we worked on development of cleaning solution for Ge surface and characterization from the electrical po...
金属氧化物半导体工艺对SiGe材料表面粗糙度的影响
The impact of metal–oxide–semiconductor processing on strained Si/SiGe device structures has been examined. Material was...