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一种高效的Ge(100)表面清洁方法
Abstract We report an efficient method for cleaning Ge substrates similar to the Ishizaka and Shiraki method for cleani...
退火制备的多晶 Ge 上 NiGe 的形成及其比接触电阻率
ABSTRACT Flash lamp annealing (FLA) is an ultra-short annealing method, which excellently meets the requirements of thi...
磁控溅射 NiAl 在 Ge 上以原生 GeOx 为媒介的外延生长
Abstract.In this work, the growth of a magnetron sputtered NiAl film on Ge was investigated. Two growth parameters were ...
在 Si (111) 上的虚拟 SiGe 衬底上 外延生长 Nd2O3 层
ABSTRACTThis study explores the growth and structural characteristics of Nd2O3 layers on virtual germanium-rich SiGe sub...
Ge_SiGe 量子异质结构进行 Ge 层的高质量 CVD 沉积
ABSTRACT. A great deal of interest is directed nowadays towards the development of innovative technologies in the field...
SiGe Etch
伴随着 CMOS 技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小，传统 CMOS 工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于 PMOS 驱动电流的要求。在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅（SiGe）外延技术来加大 PMOS 的...