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华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
联系人:徐先生
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化合物半导体制造中光刻热点的机理和控制
摘要本文主要讨论了光刻技术在制造化合物半导体时面临的一个主要挑战,即晶圆片和加工区域内最佳焦距的差异。这种差异会导致所谓的“热点”缺陷,表现为在曝光过程中由于衬底高度差异引起的场平失衡。本研究特别调查并表征了一种具有可重复双重像差的失效模式...
晶圆级封装光刻胶去除的槽寿命影响评估
摘要随着三维集成和晶圆级封装的出现,柱状碰撞过程已经成为一个关键的加工步骤。随着工艺的成熟,人们在生产和成本方面的优化方面都做出了巨大的努力。这对于光刻胶剥离尤其如此,因为需要厚的光刻胶来形成高纵横比,并且必须在随后的步骤中去除以暴露下面的...
光刻技术和机器的发展
Abstract: Photolithography is the most complicated, accurate, expensive process in the manufacture of integrated circui...
基于光刻的陶瓷增材制造:材料、应用和前景
Abstract Lithography-based additive manufacturing methods emerged as a powerful method for manufacturing of complex-shap...
用于高频有机薄膜晶体管的高分辨率光刻
Organic thin-film transistors are field-effect transistors comprising a semiconductor in the form of a thin, typically p...
用于原子级薄 2D 材料器件的无损伤 LED光刻
Desired electrode patterning on two-dimensional (2D) materials is a foremost step for realizing the full potentials of ...
纳米压印光刻用于 200 mm 晶圆中 MEMS 反射镜的灰度图案复制
ABSTRACT In this work a multilevel nanoimprint lithography (NIL) replication process was demonstrated to produce 1D ME...
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