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用于集成电路制造的压印光刻
在微光刻和纳米光刻领域，分辨率方面的重大进步历来都是通过使用较短波长的光来实现的。利用相移掩模技术，已经证明了193nm的光刻技术可以产生亚100nm以下的特征。伴随这种改进的是光刻工具成本的不断增加。随着传统投影光刻技术达到极限，下一代光...
光学光刻技术
光学光刻是一种基于光子的技术，包括将图像投射或阴影投射到涂在所选基底上的光致抗蚀剂中。在光学光刻领域中，在波长和光学配置两方面都存在广泛的实现多样性。波长范围从传统的可见光和紫外线到极紫外(EUV)甚至软x光。光学配置范围从最简单的直接阴影...
反射电子束光刻
电子束光刻技术(EBL)以生产良好的分辨率、良好的线边粗糙度(LER)和良好的线宽粗糙度(LWR)而闻名。吞吐量所支付的成本是由于电子剂量必须足够高，以减轻电子束（散粒噪声）和抗蚀剂和发展过程的统计效应，以达到可接受的LER/LWR。不幸的...
通过光刻和蚀刻工艺控制晶圆CD均匀性
在先进的工艺控制中，使用R2R控制已经很好地解决了批次与批次之间以及晶圆与晶圆之间的工艺差异，然而，为了解决在65纳米技术节点及以后不断增加的管芯与管芯之间(即跨晶圆)的工艺差异，工艺控制必须扩展到更精细的领域:跨晶圆级。提出了一种新的基于...
用于 3D 封装的穿硅通过最后光刻的覆盖性能
对包括背照式图像传感器、插入物和3D存储器在内的消费产品相关设备的需求推动了使用硅通孔的先进封装(TSV) ，TSV加工的各种工艺流程会影响铸造厂和OSAT制造厂所需的相对集成水平，最后通孔为工艺集成提供了明显的优势，包括最小化对后段制程(...
光刻胶的选择标准
Which Resist Mode?Positive ResistsIn the case of positive resists, exposed areas are soluble in the developer due to the...
通过湿化学清洗结合物理力预处理去除离子植入后光刻胶
A combination of wet chemistry and high-velocity solid CO2 aerosol pre-treatment was used to remove ion-implanted resis...
在先进的单晶片光刻胶处理系统上使用独特的无溶剂相流体进行超音速增强光刻胶去除
Introduction Removal of photoresist materials (resist stripping) is very straightforward in theory, but can be difficul...
三维光刻机国际招标公告
招标项目名称:三维光刻机招标产品列表(主要设备): 三维光刻机招标文件领购开始时间:2023-01-30招标文件领购结束时间:2023-02-06投标截止时间（开标时间）:2023-02-21 14:00招标人:北京晨晶电子有限公司地址:北...
半导体加工中注入的光刻胶和阻挡金属的氧化去除
ABSTRACTChemical systems containing oxidants are widely used at various stages in semiconductor processing, particularl...