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晶圆级激光光刻
Mechanisms for laser-driven pyrolytic deposition of micron-scale metal structures on crystalline silicon have been stud...
用于集成电路制造的压印光刻
The escalating cost for next generation lithography ~ NGL! tools is driven in part by the need for complex sources and o...
用于高性能硅光子电路的浸没式光刻
Large-scale photonics integration has been proposed for many years to support the ever increasing requirements for long ...
光刻胶溶解的原位表征
Extreme ultraviolet (EUV) photoresist materials and processing are considered as one of the most critical issues in achi...
光刻模块标准步骤
通常，光刻是作为特性良好的模块的一部分执行的，其中包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩模和晶圆的对准、曝光、显影和适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征，以确保模块末端剩余的抗蚀剂是掩模的最佳图像，并具有所需的侧壁轮廓。光刻模块中的标...
负性光刻胶显影液
负性光刻胶显影剂是用于显影曝光负性光刻胶的高纯度有机溶液。为各种负性光刻胶提供了范围广泛的溶剂显影剂专有混合物。它们的配制是为了补充所使用的抗蚀剂系统。开发人员是根据特定加工条件所需的活动水平来选择的。发展：在显影周期中，未曝光的光刻胶通过...
光刻胶剥离
脱胶：在微电子器件的制造过程中，去除光刻胶层往往是一个不可避免的过程步骤。通过等离子体的各向同性带过程，这种有机层的去除是可以不损害等离子体的。 强大的过程：通常使用氧气或氧气混合物作为工艺气体。工作压力约为10到100 Pa，根据系统类型...
用于光刻处理的涂层和显影轨道
深紫外 (DUV) 步进系统0.25um 技术节点的生产级光刻曝光能够使用传统的照片工艺在 22mm x 22mm 的曝光区域上对 250nm 特征进行图案化。EX5 使用 KrF Cymer 5000 系列准分子激光源，强度输出增加到 3...
传统光刻和活性离子蚀刻多晶金刚石薄膜的沉积与图案
Given the exceptional characteristics of diamond fifilms, they have become increasingly popular in the fifields of medic...
紫外增强衬底共形压刻光刻（UV-SCIL）技术在LED光子晶体模式
The global LED (light emitting diode) market reached 5 billion dollors in 2008 and will be driven towards 9 billion doll...