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显影剂温度对光刻胶溶解影响的新模型
显影过程中显影剂溶液的温度会对抗蚀剂性能产生重大影响。速度随着温度以复杂的方式变化，通常导致“更快”的抗蚀剂工艺的反直觉结果。显影速率对剂量(或对敏化剂浓度)曲线的形状也将随温度发生显著变化，从而可能导致显著的性能差异。尽管在这一领域已经发...
EUV掩膜表面清洁对光刻工艺性能的影响
极紫外光刻(EUVL)掩模寿命是要解决的关键挑战之一，因为该技术正在为大批量制造做准备。反射式多层掩模体系结构对紫外线辐射高度敏感，容易受到表面氧化和污染。由于各种表面沉积过程造成的EUV标线的污染导致图案形成中图像对比度和曝光宽容度的损失...
光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理
引言应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明，过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)...
减少光刻显影周期缺陷的冲洗方法
引言随着线宽尺寸的不断减小，防止更小的缺陷对于保持产量变得至关重要。在显影周期中产生并附着在BARC表面的缺陷，例如水点或光刻胶残留物，一直是人们关注的问题，通常以牺牲产量为代价来去除。有各种选择可以减少这些类型的缺陷，但每种都有缺点。一个...
EOL应用中去除蚀刻后残留物的不同湿法清洗方法
引言高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，从而为家庭消费提供足够的能量。我们认为，借助光阱方案，适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在这项工作中，使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶...
下一代光刻无硫酸盐清洁工艺的研究
引言目前，掩模版表面上的雾度和晶体生长仍然是微光刻工业主要关心的问题。晶体限制了标线的使用，因为它们会在晶片上产生可印刷的缺陷。到目前为止，已经提出了许多研究。一般认为，不同的根本原因会导致晶体生长和雾度形成，其中包括来自清洁过程的掩模表面...
湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究
引言在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中，光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）...
非晶半导体中的光刻工艺
引言在光刻过程中，光敏材料根据其上的辐照量改变其在某些蚀刻剂中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄层中形成的浮雕图案可以作为集成光学或集成电子器件的组件使用，也可以作为沉积它们的基板处理中的保护掩模。后一种工艺是集成电路微制造技术的基础。微电子...
通过光刻和蚀刻工艺控制晶圆CD均匀性
在先进的工艺控制中，使用R2R控制已经很好地解决了批次与批次之间以及晶圆与晶圆之间的工艺差异，然而，为了解决在65纳米技术节点及以后不断增加的管芯与管芯之间(即跨晶圆)的工艺差异，工艺控制必须扩展到更精细的领域:跨晶圆级。提出了一种新的基于...
通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性
跨晶圆栅极临界尺寸(CD)的一致性会影响芯片与芯片之间在速度和功耗方面的性能差异。随着线宽减小到90 nm及以下，跨晶片CD均匀性的性能规格变得越来越严格。本文提出了一种新的方法，通过光刻和刻蚀工艺顺序来提高跨晶片栅极CD的均匀性。所提出的...