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负性光刻胶显影液
负性光刻胶显影剂是用于显影曝光负性光刻胶的高纯度有机溶液。为各种负性光刻胶提供了范围广泛的溶剂显影剂专有混合物。它们的配制是为了补充所使用的抗蚀剂系统。开发人员是根据特定加工条件所需的活动水平来选择的。发展：在显影周期中，未曝光的光刻胶通过...
光刻胶剥离
脱胶：在微电子器件的制造过程中，去除光刻胶层往往是一个不可避免的过程步骤。通过等离子体的各向同性带过程，这种有机层的去除是可以不损害等离子体的。 强大的过程：通常使用氧气或氧气混合物作为工艺气体。工作压力约为10到100 Pa，根据系统类型...
热解光刻胶碳膜的表面研究
Positive and negative photoresists, which are commonly used in the semiconductor industry, were deposited on silicon waf...
光刻胶涂层提高ZnO纳米线光电探测器的响应速度
Spin-coating photoresist film on ZnO nanowire (NW) was introduced into the fabrication procedure to improve photorespons...
在负性光刻胶上制造悬浮微结构的方法
We report the results of diffuser lithography applied to a negative-type thick photoresist to fabricate 3-dimensional m...
通过超柔顺探针对光刻胶进行无掩模、亚微米热化学图案化
This article introduces a scanning probe lithography technique in which ultracompliant thermal probes are used in the se...
扇出晶圆级封装铜柱最高厚度光刻胶的研究
The mobile device's limited thermal budget hardly allows the use of a high-performance application (AP) atits full s...
微刻工艺中光刻胶膜均匀性的控制
摘要图1 实验装置的原理图通过A/D转换器观察和获取随电阻厚度和波长变化的反射信号。使用厚度估计算法，计算单元将其转换为厚度测量值。商用正面光刻胶，Shipley 3612，在4英寸晶圆上以2000转/分钟的速度进行旋转涂布。为了演示控制策...
扇出晶圆级封装铜柱最高厚度光刻胶的研究
摘要该移动设备的热预算有限，几乎不允许高性能应用程序(AP)全速运行。然而，随着人工智能技术迅速应用于移动设备，对高速和大容量信号处理的需求不断增加。因此，控制AP芯片的产热量正成为关键因素，有必要开发一种基于重新分布层(RDL)的扇出封装...
晶圆级封装光刻胶去除的槽寿命影响评估
摘要随着三维集成和晶圆级封装的出现，柱状碰撞过程已经成为一个关键的加工步骤。随着工艺的成熟，人们在生产和成本方面的优化方面都做出了巨大的努力。这对于光刻胶剥离尤其如此，因为需要厚的光刻胶来形成高纵横比，并且必须在随后的步骤中去除以暴露下面的...