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显影剂温度对光刻胶溶解影响的新模型
显影过程中显影剂溶液的温度会对抗蚀剂性能产生重大影响。速度随着温度以复杂的方式变化，通常导致“更快”的抗蚀剂工艺的反直觉结果。显影速率对剂量(或对敏化剂浓度)曲线的形状也将随温度发生显著变化，从而可能导致显著的性能差异。尽管在这一领域已经发...
光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理
引言应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明，过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)...
湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究
引言在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中，光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）...
光刻胶的选择标准
Which Resist Mode?Positive ResistsIn the case of positive resists, exposed areas are soluble in the developer due to the...
通过湿化学清洗结合物理力预处理去除离子植入后光刻胶
A combination of wet chemistry and high-velocity solid CO2 aerosol pre-treatment was used to remove ion-implanted resis...
在先进的单晶片光刻胶处理系统上使用独特的无溶剂相流体进行超音速增强光刻胶去除
Introduction Removal of photoresist materials (resist stripping) is very straightforward in theory, but can be difficul...
半导体加工中注入的光刻胶和阻挡金属的氧化去除
ABSTRACTChemical systems containing oxidants are widely used at various stages in semiconductor processing, particularl...
使用臭氧技术去除光刻胶
As the semiconductor industry shifts from 200- to 300-mm wafers, the use of ozonated deionized water (DIO3) in surface c...
晶片光刻胶处理系统
In this work the application of a new generation of phase-fluid stripping solutions (intelligent fluid®) to a variety of...
使用臭氧的新型光刻胶剥离技术
Abstract The authors have developed a new process as an alternative to sulfuric peroxide mixture (SPM) cleaning of Si wa...