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InP光子学与硅电子学的集成
摘要光子学与电子学的紧密结合被认为是进一步提高信息传输系统的带宽、速度和能量效率的关键。在这里，我们回顾了一种基于晶圆级聚合物键合的方法，该方法与铸造源高性能磷化铟光子学和BiCMOS电子器件兼容。我们应对电路架构、联合仿真框架和互连技术方...
锗对氮化硅中红外集成光子学的波导
在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片...
在碳酸氢钠溶液中单晶硅各向异性蚀刻法制备的微结构
本文研究了基于碳酸钠和碳酸氢钠混合溶液在不同条件下制作单晶硅片微结构的方法。根据表面形态大小和覆盖率对纹理化过程进行了评估。实验表明，Na2CO3浓度的影响通过在5 wt%和30 wt%之间改变浓度是显著的。结果表明，随着Na2CO3浓度的...
聚合物光波导制备用于硅基板上的自旋涂层薄膜的界面粘合
研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮，并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分发现不同的粘合强度。在基材的中心观察到比旋涂粘合膜的其他位置更高的粘...
HF溶液阳极氧化形成多孔硅层的机理
我们根据实验，研究了多孔硅层(PSL)的形成机理。PSL是由只发生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在阳极化过程中，PSL孔隙中电解质的HF浓度保持恒定，孔隙中的阳极反应沿厚度方向均匀进行。硅在孔隙中的溶解是硅与高频的二价反应和四相反应的结...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明...
用各向异性湿法蚀刻技术制作的低损耗硅波导
低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术，我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。波导边界由垂直于[110]表面的平面决定。制作的波导对TE极化的最小传播损耗为0...
氢氟酸溶液中多孔硅的形成
引言我们研究了四种硅在高频水溶液中的阳极电流-电势特性。根据不同电位阳极氧化的样品的表面条件，电流-电位曲线上通常有三个区域：电流随电位指数变化区域的多孔硅形成，恒流区域的硅的电泳抛光，以及两者之间的过渡区域。图中给出了所研究的硅样品的多孔...
减少硅片金属污染的方法
本方法一般涉及半导体的制造，更具体地说，涉及在生产最终半导体产品如集成电路的过程中清洗半导体或 硅晶片，由此中间清洗步骤去除在先前处理步骤中沉积在相关硅晶片表面上的污染物。 典型的，在生产复杂的半导体产品，例如集成电路器件时，需要数千个加工...