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先进硅加工的经济有效的清洁
摘要研究了各种金属污染物对薄栅氧化物完整性的影响，并根据它们在结构中的最终位置进行了分类。 提出了一个简化的清洁策略，该策略具有高性能，同时具有成本效益，并且与传统的清洁序列相比对环境的影响更小。 最后，提出了一个新型的环境友好型臭氧/去离...
研究多晶硅片湿法化学蚀刻响应的新技术
目前的工作旨在展示一种技术的应用，即结合白光干涉测量（WLI）和劳伊x射线晶体学扫描仪表征来研究金刚石切割多晶硅（mc-Si）晶片的化学蚀刻响应。利用该技术，通过检测蚀刻前后mc-硅表面的形貌来评估不同的纹理添加剂（异丙醇、次氯酸钠）的影响...
12英寸集成电路用大硅片产业化项目12英寸硅片倒角机采购国际招标公告
招标项目名称:12英寸集成电路用大硅片产业化项目12英寸硅片倒角机采购招标产品列表(主要设备):12英寸硅片倒角机 1台招标文件领购开始时间:2023-12-07招标文件领购结束时间:2023-12-14开标时间:2023-12-29 14...
晶圆清洁工艺评估准备的测试硅晶圆的老化效应
摘要本文介绍了一项实验研究，研究半导体晶圆加工中为评估颗粒去除（清洗）工艺而制备的受污染测试晶圆的老化情况。比较了两种晶圆制备技术：一种常规的湿法技术，即将裸硅片浸入含有颗粒的溶液中然后干燥；另一种干法技术，即将颗粒从干颗粒气溶胶流中沉积下...
用于制造高效硅异质结太阳能电池的表面清洁和钝化技术
摘要硅异质结（SHJ）太阳能电池由于其低温加工、步骤简洁、显著的温度系数以及高双面能力，越来越受到人们的关注。SHJ太阳能电池的高效性和薄晶片特性使其成为理想的高效太阳能电池。然而，由于钝化层的复杂性和前期清洁的困难，实现良好钝化的表面是困...
铜 CMP 后清洗过程中胶体二氧化硅和铜离子对 PVA 刷污染的影响
介绍为了减少晶片表面的缺陷和污染物，对后CMP清洗进行了多项研究。大多数研究都集中在化学剂输送、后CMP清洗溶液和刷洗参数对晶片表面颗粒负载和缺陷的影响上。为了满足当前的清洗要求，了解CMP残渣与PVA刷在PVA刷刷洗过程中的相互作用是很重...
硅片表面污渍对铜辅助化学蚀刻的影响
摘要太阳能电池制造过程中的硅片切割是一个关键步骤，但此过程往往会污染硅片表面。因此，本文系统地研究了硅片表面典型白点污渍的成分、来源和清洁方法。EDS和XPS结果表明，白点污渍含有CaCO3和SiO2，与粘性硅锭胶的填料成分一致。研究了污渍...
硅湿蚀刻的建模、仿真和校准
摘要在Etch3DTM模拟器中，参数优化方法以及硅在KOH中刻蚀的实验与模拟比较结果如下所述。本研究的目的是根据ITE提供的一组工艺条件来校准该工具。采用了田口方法来分析每一个去除概率函数（RPF）参数对一个或多个输出参数的影响。这种方法使...
旋涂法沉积氧化铝薄膜用于硅片表面钝化
摘要本文开发了一种用于硅片钝化的氧化铝凝胶。该凝胶通过溶胶-凝胶法制备，以铝-sec-丁氧基为前驱体。涂层后，通过快速热处理（RTP）激活钝化效果。通过X射线光电子能谱和C-V曲线评估了薄膜性能。在74.35 eV处的峰值证实了Al2O3的...
12英寸硅基OLED项目中标结果公告
项目名称：12英寸硅基OLED项目项目编号：4197-214BOEBMOT02/22招标产品列表(主要设备): 改造_COG绑定机 1台招标机构：中电商务（北京）有限公司招标人：云南创视界光电科技有限公司开标时间：2023-12-07 10...