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通过湿氧化法去除晶体硅电池中吸气层的表面改性
摘要降低晶体硅（c-Si）中的杂质原子含量可以有效降低太阳能电池的复合电流密度（J0），提高太阳能电池的光电转换效率（PCE）。磷扩散吸附（PDG）已被证明是一种去除cSi中杂质原子的有效方法。然而，研究表明，传统的管热扩散方法在氧化过程中...
表面清洗工艺对硅和 Pyrex 玻璃晶圆键合的影响
摘要本文主要介绍了等离子体键合技术在MEMS器件封装中的应用，以及表面处理对键合效率的影响。首先，文章指出等离子体键合是一种可靠的MEMS器件封装方法，晶圆表面的性质直接影响键合效率。因此，对要进行键合的晶圆进行表面处理是必要的。接着，文章...
化学性质和金属杂质分布在多晶体硅材料
摘要我们全面总结了我们对来自多个供应商的多晶硅（mc-Si）太阳能电池材料中富金属颗粒的观察结果，这些材料包括定向凝固锭生长、片材和带材，以及在生长过程中受到污染的多晶浮动区材料。在每种材料中，通过同步加速器为基础的分析X射线显微探针技术评...
半导体资料丨碳化硅、化学刻蚀、激光二极管、化学机械抛光、Si3N4
SiC掺杂剂选择性光电化学蚀刻Single crystalline 4H-SiC is a wide-gap semiconductor with optical properties that are poised to enable n...
半导体资料丨颗粒、表面清洗工艺、熔融石英玻璃、硅腐蚀
半导体应用中颗粒形成、传输、沉积和过滤的基础研究 在半导体制造过程中，防止和控制颗粒污染是提高半导体产率的关键。为了控制和减少半导体制造过程中的纳米颗粒污染，应该同时研究颗粒的形成、输运、沉积和过滤。本文研究的目的是1)证明无颗粒环境中的颗...
V 型槽硅基板上 GaP 的聚结
ABSTRACT: Here, we study the morphology and dislocation dynamics of metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)-grown GaP o...
硅基集成可调谐半导体激光器的进展
Abstract: Tunable semiconductor lasers have many important applications such as wavelength division multiplexing, light ...
硅氧化铝表面钝化的激活：分离体和表面效应
ABSTRACT Understanding surface passivation arising from aluminium oxide (Al2O3) films is of significant relevance for ...
4H 碳化硅晶圆的化学机械抛光
4H silicon carbide (4H-SiC) holds great promise for high-power and highfrequency electronics, in which high-quality 4H-S...
沉积温度和材料应力对集成量子光学低损耗氮化硅薄膜的影响
AbstractWe report on an optimization procedure for depositing low-loss silicon nitride films at temperatures of 760 °C a...