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硅中深窄沟槽的低温蚀刻
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示，在5 μm的平均蚀刻速率下，2 pm宽的沟槽蚀刻到50 pm的深...
用于颗粒去除实验的 Si3N4沉积技术的比较
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“> 1000个氮化物颗粒”。然而，它没有规定用于...
HCL处理对多孔硅光电应用的影响
本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液，导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定P...
高温工艺对 n 型 Cz 硅载流子寿命的影响
引言由于缺乏发光降解，掺杂磷的n型铜斯基生长硅（铜硅）晶片经常用于制造高效硅太阳能电池。对于处理n型Cz-Si太阳能电池，通常的高温过程步骤同时形成了掺杂硼的发射器和高磷酸化掺杂的表面。我们硏究了高温工艺对掺磷氮型直拉法生长硅晶片的影响。来...
碱溶液中金属杂质在硅片上的附着机理
引言在半导体工业中，清洁的晶片表面对于电子器件的制造是必不可少的。硅片的表面污染会导致大规模集成电路器件的严重退化。从硅表面去除颗粒最常用的技术是湿化学法，称为RCA清洗的过程。在本文中，我们通过密度泛函理论进行第一性原理计算来研究碱金属溶...
光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理
引言应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明，过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)...
SiO2原子层蚀刻法去除硅基质的薄氧化物层
引言原子级表面工程面临的一个挑战是在实现纳米尺度刻蚀控制的同时，将衬底损伤和表面残留物降至最低。干法蚀刻后的残留物最小化是一个重要的要求。加工过程中引入的缺陷和损坏会大大降低器件性能。因此，最小化衬底损伤对于任何原子级工艺的成功都是至关重要...
氮化硅LED:外延、芯片及封装
引言在大直径硅上外延集成第三族氮化物半导体的梦想正在被完全实现，这是由硅上氮化镓技术在提高效率的同时大大降低固态照明和电力电子的制造成本的巨大潜力所驱动的。在硅衬底上生长高质量的氮化镓是非常具有挑战性的，因为氮化镓和硅之间的热膨胀系数(CT...
碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理
引言碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米...
氧杂质在原子氢蚀刻硅中的作用
引言本文讨论了用氢辉光放电等离子体或用热丝产生的原子氢对硅进行蚀刻和后处理，在新的微电子设备制造中图案化的替代气体和工艺，薄膜硅的后处理以增强其结晶，外延膜沉积前晶片的清洁和钝化，受控核研究设备的清洁和等离子体诱导薄膜沉积设备的清洁。蚀刻也...