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过氧化氢混合物中硅表面粗化机理
引言在氨过氧化氢混合物(APM)(或SC1)清洗处理之前，硅晶片暴露于包含HF蚀刻步骤的清洗序列。这些晶片根据至少三种机制进行粗糙化。一种粗糙化机制是由于来自APM混合物的蒸汽，而另外两种与金属污染密切相关。首先，来自热APM溶液的氨蒸汽将...
湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点
引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv)临界直径接近6 nm时小，(v)可大量生产用于生...
添加剂对稀释 HF 溶液中铜表面镀到硅表面的影响
引言随着半导体器件不断向越来越小的尺寸发展，保持硅表面无污染以提高器件功能、产量和可靠性变得越来越重要。基于RCA的湿法化学清洗仍然广泛用于半导体器件制造工艺。经过SC-1和SC-2处理后，硅表面具有约1纳米厚的化学氧化层。对于预浸清洗，低...
非晶碳层的刻蚀特性研究
介绍随着半导体器件的小型化和超大规模集成(VLSI)电路的图案密度的增加，单个光致抗蚀剂掩模不再适用于细线图案化和接触图案化。 尽管单光刻胶掩模工艺被认为是器件制造中的简单工艺，但在接触氧化物期间，它对光刻胶掩模层的氧化物蚀刻选择性低光刻从...
硅KOH蚀刻：凸角蚀刻特性
引用本文研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术的几种方法。传统上，方向光束用于补偿凸角上的底切。发现这种方法对于锐角凸...
西安奕斯伟硅产业基地二期项目国际招标公告
招标项目名称:西安奕斯伟硅产业基地二期项目招标产品列表(主要设备): 片盒清洗机招标文件领购开始时间:2023-01-03招标文件领购结束时间:2023-01-10投标截止时间（开标时间）:2023-01-31 10:00刘女士 029-6...
高纵横比多晶硅微加工技术
本文介绍了一种单晶片、全硅、高纵横比多层多晶硅微加工技术，该技术将硅的深度干法刻蚀与常规表面微加工相结合，以实现几十到几百微米厚、高纵横比、具有亚微米气隙的电隔离多晶硅结构。在该技术中可以实现与主体多晶硅结构一样高的垂直多晶硅感测电极。使用...
用硅蚀刻和湿法清洗开发高产量的硅通孔工艺
引言 本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TS...
使用硬掩模进行更精细的硅通孔蚀刻
引言随着对多功能移动消费电子设备需求的增加，半导体芯片互连密度的复杂性不断增加。传统的芯片到封装集成(CPI)使用引线键合将键合焊盘互连到封装引线。随着芯片规模向原子级发展，采用硅通孔(TSV)技术的芯片间互连成为一种极具吸引力的潜在解决方...
硅的碱性蚀刻
引言本文介绍了用于微型量子频标的MEMS碱蒸气室技术开发的实验结果。包含光学室、浅过滤通道和用于固态碱源的技术容器的两室硅电池的经典设计在湿法各向异性硅蚀刻的单步工艺中实现。为了防止在蚀刻穿透硅腔的过程中破坏过滤通道，计算氮化硅掩模的凸角处...