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碳化硅薄膜的选择性刻蚀
本文讲师了一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。 介绍本文涉及半导...
300mm直径硅片湿洗槽出水口设计
实验和数值研究了间歇式300mm直径硅片湿法清洗槽出口对水运动的影响，以快速去除槽中的污染物。设计并评估了由靠近水槽侧壁顶部边缘的针孔阵列组成的出口以及普通溢流出口。实验表明，在同时具有OF-出口和PA-出口的浴中，用作示踪剂的蓝色墨水的量...
HNO3浓度对蚀刻速率和硅结构的影响
引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷，导致晶片破裂，表面粗糙。因此，化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，不同浓度的...
半导体加工中反复氧化-HF蚀刻-碱性化学清洗工艺对硅表面的影响
引言为了在半导体工艺中获得均匀的电气特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清洁度的技术随着半导体器件的高密度化，其重要性日益增加。一般来说，半导体工艺中三个定义的目的是从基板表面去除粒子、有机物(organic residues)、转移金属和...
稀释 HF 清洗过程中硅表面颗粒沉积的机理
摘要本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间的表面相互作用力来影响稀氟化氢溶液的清洁效...
重结晶聚对二甲苯作为硅化学蚀刻的掩膜
摘要本文介绍了再结晶聚对二甲苯首次用作硅化学蚀刻的掩模材料。通过在350℃下熔化聚对二甲苯C 2小时获得再结晶的聚对二甲苯。在不同的温度和浓度下，在不同比例的HNA(氢氟酸、硝酸和乙酸)溶液、KOH(氢氧化钾)溶液和TMAH(氢氧化四甲铵)...
从缓冲氧化物蚀刻剂中将铜沉积到硅晶片上
引言已经研究了从缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)到裸硅、二氧化硅和图案化硅水的铜沉积。在二氧化硅表面上不会发生沉积，而在图案化的二氧化硅区域1上观察到的沉积水平介于裸硅和二氧化硅上的沉积水平之间。每次浸入BOE溶液后，晶片清洗的持续时间、硅材料以...
使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻
介绍在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得...
SiC GaN 通孔工艺
摘要 研究了SiC/GaN通孔刻蚀和通孔环路工艺集成。已经开发了一种新的蚀刻工艺区域，其产生几乎完美光滑的通孔侧壁。最小化通孔蚀刻工艺流程中其他工艺的副作用，以提高通孔质量。 关键词:碳化硅通孔刻蚀，平滑度，通孔侧壁 介绍近年来，对于半导体...
硝酸浓度对硅晶片腐蚀速率的影响
引言薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术，因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产...