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低射频功率 SiC 衬底
关键词:碳化硅通孔蚀刻，支柱 引言研究了电感耦合等离子体刻蚀工艺中线圈射频功率对SiC通孔刻蚀柱形成的影响。据观察，当在反应物中仅使用典型的蚀刻化学物质如SF6时，并且当线圈RF功率降低到一定阈值时，柱密度开始急剧增加。通过适当地修改蚀刻工...
晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法
引言高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中，电池的两面都被纹理化，导致表面相当粗糙，这对背面是不利的。因此，在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。随后，使用双面扩散工艺来构造发射器。为了避免太阳能电池的前侧和后侧之间的...
用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO...
温度对KOH溶液中多晶硅电化学纹理化的影响
湿化学蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶硅，氢氧化钾溶液被广泛使用，因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理，从而增强单晶硅晶片的光吸收。对于多晶硅晶片，表面纹理化通常通过在含HF/HNO 3的溶液中进行酸性蚀刻来实现。酸性...
硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性
引言硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通过简单的氧化方法在硅表面制备，其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏应用占主导地位，全球近90%的太阳能电池生产是基于多晶和单晶基质。...
薄膜硅太阳能电池氧化锌的化学蚀刻
薄膜硅太阳能电池依靠光捕获来提高其从光到电能的转换效率。这通常是通过纹理表面将光分散到吸收层来实现的。这种纹理已经引入透明前接触或反射器。氧化锌是这样一种可纹理的透明接触，可以通过溅射沉积制备，然后通过在非常大面积的衬底上进行化学蚀刻形成纹...
碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀
人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域，需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子...
表面钝化前对太阳能级CZ硅进行湿化学处理
直拉(CZ)单晶硅占光伏市场的40 %以上。开发具有经济吸引力的硅太阳能电池的决定性先决条件是晶片表面钝化。为了准备硅衬底的表面进行钝化，必须蚀刻掉锯损伤层。所得表面结构导致高界面态密度Dit(E)，从而导致高表面复合。通过在钝化之前对表面...
先进清洗技术提高晶体硅太阳能电池效率
引言晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下，并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一步降低效率。在最近的试验中，我们进行了同类最佳的清洗，将隐含的开路电压...
通过晶圆键合的硅光子学
硅光子学硅是制造几乎所有经典电子集成电路的材料。虽然SOI现在被用于高端电子集成电路的制造，但该材料在光子应用中的应用正在被深入研究。SOI晶片由硅衬底上的掩埋二氧化硅层上的硅层组成。虽然在电子集成电路中，掩埋二氧化硅层的存在改善了晶体管的...