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碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和炉前清洁的湿法处理
碳化硅MOSFETs进入量产阶段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的开关效率，非常适合高温和中高压应用(1，2)。因此，它们有望在未来十年刺激1000 V以上应用的增长，因为它们能够显著降低辐射(3)。SUNY理工学院的电力电子制造联盟准备...
SiC GaN 通孔工艺
本文研究了SiC/GaN通孔刻蚀和通孔环路工艺集成。已经开发了一种新的蚀刻工艺区域，其产生几乎完美光滑的通孔侧壁。最小化通孔蚀刻工艺流程中其他工艺的副作用，以提高通孔质量。 关键词:碳化硅通孔刻蚀，平滑度，通孔侧壁 介绍近年来，对于半导体工...
低射频功率 SiC 衬底
关键词:碳化硅通孔蚀刻，支柱 引言研究了电感耦合等离子体刻蚀工艺中线圈射频功率对SiC通孔刻蚀柱形成的影响。据观察，当在反应物中仅使用典型的蚀刻化学物质如SF6时，并且当线圈RF功率降低到一定阈值时，柱密度开始急剧增加。通过适当地修改蚀刻工...
碳化硅陶瓷材料综述
碳化硅陶瓷(SiC)是一种含硅和碳的先进陶瓷材料。它在自然界中作为极其罕见的矿物碳硅石出现，自1893年以来，合成SiC粉末已被大量生产用作磨料，碳化硅颗粒可以通过烧结结合在一起，形成非常坚硬的陶瓷。随着现代国防、核能和航天技术、汽车工业、...
用于 3D 封装的穿硅通过最后光刻的覆盖性能
对包括背照式图像传感器、插入物和3D存储器在内的消费产品相关设备的需求推动了使用硅通孔的先进封装(TSV) ，TSV加工的各种工艺流程会影响铸造厂和OSAT制造厂所需的相对集成水平，最后通孔为工艺集成提供了明显的优势，包括最小化对后段制程(...
BOE湿蚀刻的硅二氧化
INTRODUCTIONBuffered oxide etch (BOE) is used to remove SiO2. BOE is a very selective etchant, meaning that it stops at...
硅化物预清洗对 65 nm 及以上技术的 NiPtSi 热稳定性的影响
AbstractThe effffects of difffferent surface preparations on NiPtSi thermal stability were studied. HF wet clean, argon ...
单片湿法刻蚀稀释氟化氢二氧化硅薄膜表面化学反应模型
A surface chemical reaction model of silicon dioxide fifilm etching by hydrogen flfluoride aqueous solution using a sing...
晶体硅各向异性湿法化学蚀刻过程中的表面形貌
Abstract.The rich variety of micron-scale features observed in the orientation dependent surface morphology of crystalli...
硅加工的高效清洁
AbstractThe effect of various metal contaminants on the thin gate oxide integrity is investigated and a classification i...