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KOH硅湿化学刻蚀
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高，而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上...
晶片表面刻蚀工艺对碳硅太阳能电池特性的影响
为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响，我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺（碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻）以及两步蚀刻工艺（碱性溶液+ MACE和碱性溶液+ RIE）来进...
晶体硅衬底的表面织构和光学特性
本文介绍了表面纹理对硅晶圆光学和光捕获特性影响。表面纹理由氢氧化钾(KOH)和异丙醇(IPA)溶液的各向异性蚀刻来控制。（001）晶硅晶片的各向异性蚀刻导致晶片表面形成金字塔面。利用轮廓测量法、光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜相结合...
湿法化学蚀刻硅太阳能电池的光电特性
通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳...
用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化
在太阳能电池工业中，最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相对昂贵，因此人们正在努力取代它。在过去的几年中，硅异质结(SHJ)太阳能电池由于晶体硅的良好性能和薄膜技术的多功能性而...
IC制造化学清洗过程中硅上重金属污染的表面光电压监测
集成电路复杂性的持续增加，以及需要减小栅极氧化物厚度的临界尺寸的减小，产生了对更好地控制重金属污染的需求。检测硅晶片中的重金属污染物最近受到了极大的关注，这是低成本制造几个大规模集成电路的关键任务。采用表面光电压(SPV)表征方 法，建立了...
超酸处理硅表面：延长光伏应用载流子寿命限制
晶体硅的弹性体表面钝化在生产效率为25%的太阳能电池和准确测量高质量基质中载流子扩散长度方面是必不可少的。硅表面的钝化在历史上一直是通过高温氧化来实现的。高效光伏器件的开发和大块材料的表征中，将界面处的载流子复合降至最低是极其重要的。在这里...
沉积温度对多晶硅特性影响的表征
所用的衬底材料是电阻率研究了从525℃到650℃的低压化学气相沉积多晶硅沉积。硅看起来是无定形的，具有高达550℃的光滑表面，并且在600℃以上完全结晶。发现过渡区域是从560℃到590℃。这种过渡的特征是晶体学和电阻率的急剧变化。发现在P...
异丙醇(IPA)的解吸特性和 IPA 蒸汽干燥硅晶片中的水分
为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS，研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果...
具有宽带隙GaN半导体的硅上集成光子学
引言在过去的几年中，波导和光子晶体波导的发展一直是一个研究热点。这是因为从纳米和微米光电机械系统到经典和量子电信的广泛应用范围，这得益于对更高效、更快速、占地面积更小的通信工具日益增长的需求。大多数传统波导是在硅上制造的1 使用了所谓的绝缘...