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含 HF 的有机清洗液中的铜薄膜溶解
我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为。采用电感耦合等离子体质谱监测Cu2+，利用x射线光电子谱监测硅片表面的氧化态，研究了薄膜铜的溶解和反应动力学。确定了反应动力学相对于心衰和氧浓度都是一阶的。提出了一...
含HF机清洁溶液中铜薄膜的腐蚀行为
引言 我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为，进行了电位动力学极化实验，以确定主动、主动-被动、被动和跨被动区域。腐蚀率是由塔菲尔斜坡计算出来的。利用电感耦合等离子体质谱ICP-MS和x射线光电子光谱XP...
在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成
到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后，晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度...
HF溶液阳极氧化形成多孔硅层的机理
我们根据实验，研究了多孔硅层(PSL)的形成机理。PSL是由只发生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在阳极化过程中，PSL孔隙中电解质的HF浓度保持恒定，孔隙中的阳极反应沿厚度方向均匀进行。硅在孔隙中的溶解是硅与高频的二价反应和四相反应的结...
氢氟酸溶液中多孔硅的形成
引言我们研究了四种硅在高频水溶液中的阳极电流-电势特性。根据不同电位阳极氧化的样品的表面条件，电流-电位曲线上通常有三个区域：电流随电位指数变化区域的多孔硅形成，恒流区域的硅的电泳抛光，以及两者之间的过渡区域。图中给出了所研究的硅样品的多孔...
二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的机理观察
关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 本文研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为5...
低 k 薄膜在DHF清洁溶液中的润湿性
引言随着集成电路器件制造工业追求更小和更先进的技术，其制造工艺的效率和精度变得越来越重要。微细加工的关键工序之一是特征的蚀刻和清洗。随着特征尺寸的扩大，清洗化学品的润湿对于去除亚45纳米结构中的蚀刻碎片至关重要。这些化学物质及其润湿行为如何...
添加剂对稀释 HF 溶液中铜表面镀到硅表面的影响
引言随着半导体器件不断向越来越小的尺寸发展，保持硅表面无污染以提高器件功能、产量和可靠性变得越来越重要。基于RCA的湿法化学清洗仍然广泛用于半导体器件制造工艺。经过SC-1和SC-2处理后，硅表面具有约1纳米厚的化学氧化层。对于预浸清洗，低...
半导体加工中反复氧化-HF蚀刻-碱性化学清洗工艺对硅表面的影响
引言为了在半导体工艺中获得均匀的电气特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清洁度的技术随着半导体器件的高密度化，其重要性日益增加。一般来说，半导体工艺中三个定义的目的是从基板表面去除粒子、有机物(organic residues)、转移金属和...
稀释 HF 清洗过程中硅表面颗粒沉积的机理
摘要本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间的表面相互作用力来影响稀氟化氢溶液的清洁效...