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InP光子学与硅电子学的集成
摘要光子学与电子学的紧密结合被认为是进一步提高信息传输系统的带宽、速度和能量效率的关键。在这里，我们回顾了一种基于晶圆级聚合物键合的方法，该方法与铸造源高性能磷化铟光子学和BiCMOS电子器件兼容。我们应对电路架构、联合仿真框架和互连技术方...
InP 激光器中光栅的化学清洗
引言我们研究了三种化学溶液，用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和10. 在磷化铟衬底上，硫酸溶液的腐蚀速率比浓硝酸溶液快2-3倍H2SO，。...
蚀刻掩模及蚀刻溶液对InP微加工形成V 型槽的影响
引言p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，...
InGaAs 和 InP 层的清洁
InGaAs和InP层采用Ar和He直接等离子体结合湿式化学处理进行处理。InP表面比InGaAs处理对各种处理更敏感。适当和有效的处理用以提供影响表面和天然氧化物去除。我们已经证明，浓缩的盐酸溶液清洗后，He直接等离子体处理可以有效地去除...
InP的光子集成的过去、现在和未来
光子集成电路的应用市场正在迅速增长。光子集成是高带宽通信的主导技术，并将在光子学的许多领域占据主导地位，就像电子领域的微电子技术一样。pic在精度、带宽和能效方面提供了引人注目的性能提升。为了能够在新的领域获得应用，高度标准化(通用)光子集...
磷化铟光子集成的优势
本文首先研究高性能收发器的内部工作原理，以确定所需的光学功能以及将这些功能集成到光子集成电路(PICs)中的好处。然后查看每种功能的材料选项，比较磷化铟(InP)和硅光子学(SiPh)，并确定只能用InP提供的功能、可以用InP或硅光子学提...
湿化学处理后InP表面的研究
引言本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱性溶液。许多报告表明，硫可以用来钝化III-V表面。本研究通过SRP...
InP硅集成的均匀性研究
AbstractIn this paper we study the uniformity of up to150 mm in diameter wafer-scale Ill-V epitaxial transferto the Si-o...
InP湿法化学蚀刻-去除氧化物
The wet chemical etching of In and its native oxide has been studied in HCl and H SO solution to create oxide-fre surfac...
InP的光子集成的过去、现在和未来
ABSTRACTThe application market for Photonic ntegrated Circuits (PICs) is rapidly growing Photonic integration is the dom...