湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
集成电路相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: 集成电路
IC制造化学清洗过程中硅上重金属污染的表面光电压监测
集成电路复杂性的持续增加，以及需要减小栅极氧化物厚度的临界尺寸的减小，产生了对更好地控制重金属污染的需求。检测硅晶片中的重金属污染物最近受到了极大的关注，这是低成本制造几个大规模集成电路的关键任务。采用表面光电压(SPV)表征方 法，建立了...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
杭州积海半导体有限公司12英寸集成电路制造项目国际招标公告
招标项目名称:杭州积海半导体有限公司12英寸集成电路制造项目招标产品列表(主要设备): EDA, APC&FDC, RTD 系统实施项目 1 套招标文件领购开始时间:2023-01-03招标文件领购结束时间:2023-01-10投标...
集成电路封装结构的制作方法
这是一种制造集成电路封装系统的方法，包括:提供具有导电通孔的硅通孔管芯；在耦合到导电通孔的硅通孔管芯的底部上形成第一再分布层；在耦合到导电通孔的硅通孔管芯的顶部形成阿明 第二再分布层；在sec上制造嵌入式芯片上部结构。第二再分布层包括:将集...
用于集成电路制造的压印光刻
在微光刻和纳米光刻领域，分辨率方面的重大进步历来都是通过使用较短波长的光来实现的。利用相移掩模技术，已经证明了193nm的光刻技术可以产生亚100nm以下的特征。伴随这种改进的是光刻工具成本的不断增加。随着传统投影光刻技术达到极限，下一代光...
集成电路的组成部分是什么
集成电路有能力将更多的能量压缩到更小的空间，尽管构成集成电路的二极管、晶体管和微处理器具有特定的功能，但它们可以无缝地协同工作来执行多种任务和计算。二极管二极管是控制电路中电流流动的电子器件，由于每个二极管都充当电流的单向开关，它允许电流沿...
华虹半导体（无锡）有限公司12英寸集成电路制造项目国际招标公告
招标项目名称:华虹半导体（无锡）有限公司12英寸集成电路制造项目招标产品列表(主要设备): 晶圆洁净设备招标文件领购开始时间:2023-01-29招标文件领购结束时间:2023-02-03投标截止时间（开标时间）:2023-02-20 09...
磷化铟光子集成电路技术
Abstract A summary of photonic integrated circuit (PICplatforms is provided with emphasis on indium phosphide (InP)Examp...
湿法刻蚀三维集成电路硅片减薄技术
INTRODUCTIONSemiconductors have been miniaturized by applying Moore’s Law. However, developments toward miniaturization...