湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
晶圆相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: 晶圆
使用 Au-Si 共晶键合和局部加热的低温晶圆级真空封装
Using Au-Si eutectic bonding, devices were encapsulated by bonding a silicon cap wafer to a device wafer. Au-Si eutecti...
高阻多晶硅作为晶圆级封装中的射频基板
Passive components, such as spiral inductors, transmission lines, and antennas, are limiting the performance and reducti...
旋转晶圆蚀刻系统
旋转晶圆蚀刻系统提供了一种经济的、符合人体工程学设计和以安全为导向的自动批处理机，用于半导体晶圆或基板的精确化学蚀刻、显影、剥离、抗蚀剂蚀刻、晶圆回收或清洁。 优势：1.在不到 3 秒的时间内从工艺到冲洗的自动晶圆转移2. 独立式紧凑型设计...
晶圆清洗洁净室整理
洁净室整理半导体微型设备的制造在洁净室中进行，以保护复杂电路免受可操作性污染的影响。洁净室按颗粒大小及其每立方英尺 或每立方米（ISO 标准）的数量分类： 经典↓≥ 0,1 微米≥ 0,2 微米≥ 0.3 微米≥ 0.5 微米≥ 1,0 微...
晶圆表面污染来源
颗粒污染颗粒污染可能源自各种来源的空气粉尘，包括晶圆厂设备、工艺化学品、气体管线的内表面、晶圆处理、薄膜沉积系统中的气相成核和晶圆厂。即使是低纳米尺寸的颗粒也有可能产生“致命”缺陷，要么通过物理阻塞器件中关键特征的形成（产生图案、特征和植入...
晶圆表面污染物清洁程序
有机化合物由于存在挥发性有机溶剂、清洁剂和聚合物建筑材料的脱气，洁净室中无处不在的有机化合物通过空气污染或有机光刻胶 (PR) 的残留物造成表面污染。有机物的严重污染，例如在 PR 去除不完全时发生的污染，会在高温工艺步骤中留下形成碳的残留...
远程检测晶圆夹持装置上的电镀
Methods and apparatus for detecting the presence or absenceof unwanted metal deposits on a substrate holder of anelectro...
单晶圆清洗
CMP 后清洗的 PVA 刷（洗涤器）可以被认为是单晶圆清洗工艺，一些晶圆厂使用单晶圆蚀刻来进行背面减薄和层去除。兆声波（Megasonics） 可加快清洁过程，已添加用于清洁包含精细几何形状的表面上的颗粒、金属污染物和残留物。在 180 ...
裸晶圆加工高产量表面处理
蚀刻系统用于腐蚀性或酸性应用的湿法蚀刻工具专为在半导体晶圆生产中实现出色的表面效果而打造。酸性蚀刻与快速传输系统相结合，可实现精确的过程控制。特点和好处1、最大晶圆尺寸300㎜2、出色的形状控制3、蚀刻在1秒内停止4、完美的蚀刻均匀性5、无...
CMOS晶圆加工工艺
浅沟槽隔离工艺在 CMOS 器件中，填充有二氧化硅的浅沟槽用于电隔离衬底表面上的 n 型和 p 型有源区。以下过程用于在 300 nm 以下的技术中创建这些沟槽。 使用光刻工艺图案化氮化硅层。光刻的第一步是沉积一层光刻胶。光致抗蚀剂是光敏有...