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晶圆开槽/切割 (激光)-LG国际招标公告
招标项目名称:晶圆开槽/切割 (激光)-LG招标产品列表(主要设备):晶圆开槽/切割 (激光)-LG 1招标文件领购开始时间:2023-12-12招标文件领购结束时间:2023-12-19开标时间:2024-01-03 10:00招标人:北...
晶圆级单晶金刚石的常用工艺
摘要大尺寸单晶金刚石（SCD）晶片一直是各种先进应用的强烈需求，而两种主要的潜在方法，包括镶嵌生长和基于化学气相沉积方法的异质外延，都遇到了各自的技术障碍。本文揭示并总结了这两种方案的本质共性，并提出了“共同基本连接”（CC）增长的概念。这...
晶圆探针台采购项目国际招标公告
招标项目名称:晶圆探针台采购项目招标产品列表(主要设备):晶圆探针台 1台招标文件领购开始时间:2023-12-18招标文件领购结束时间:2023-12-25开标时间:2024-01-09 09:30招标人:珠海天成先进半导体科技有限公司珠...
晶圆级封装光刻胶去除的槽寿命影响评估
摘要随着三维集成和晶圆级封装的出现，柱状碰撞过程已经成为一个关键的加工步骤。随着工艺的成熟，人们在生产和成本方面的优化方面都做出了巨大的努力。这对于光刻胶剥离尤其如此，因为需要厚的光刻胶来形成高纵横比，并且必须在随后的步骤中去除以暴露下面的...
表面清洗工艺对硅和 Pyrex 玻璃晶圆键合的影响
摘要本文主要介绍了等离子体键合技术在MEMS器件封装中的应用，以及表面处理对键合效率的影响。首先，文章指出等离子体键合是一种可靠的MEMS器件封装方法，晶圆表面的性质直接影响键合效率。因此，对要进行键合的晶圆进行表面处理是必要的。接着，文章...
半导体资料丨碳化硅、化学刻蚀、激光二极管、化学机械抛光、Si3N4
SiC掺杂剂选择性光电化学蚀刻Single crystalline 4H-SiC is a wide-gap semiconductor with optical properties that are poised to enable n...
4H 碳化硅晶圆的化学机械抛光
4H silicon carbide (4H-SiC) holds great promise for high-power and highfrequency electronics, in which high-quality 4H-S...
超低损耗 Si3N4 的晶圆级加工
Abstract Photonic integrated circuits (PICs) are devices fabricated on a planar wafer that allow light generation, proce...
用于晶圆上芯片3D 异质集成 μLED 的室温直接铜半加成电镀 (SAP) 键合
Abstract— This letter describes a direct Cu bonding technology to there-dimensionally integrate heterogeneous dielets ba...
用导电聚合物功能化介孔硅的晶圆级制造
The fabrication of hybrid materials consisting of nanoporous hosts with conductive polymers is a challenging task, since...