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晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆表面处理和预清洁动态
介绍半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可有效去除天然GaAs氧化物。然而，对于在...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
摘要本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放...
使用IPA溶液去除晶圆上静电荷
引言由于图案密度和晶圆直径的增加，对于非常精细的图案ULSI器件高度坚固的表面进行完整的清洗、清洗和干燥是极其困难的。IPA蒸汽干燥是半导体制造中广泛应用的一种干燥方法。由于IPA具有低表面张力和对水的高溶解度，它适合于IPA蒸汽工艺以完美...
通过光刻和蚀刻工艺控制晶圆CD均匀性
在先进的工艺控制中，使用R2R控制已经很好地解决了批次与批次之间以及晶圆与晶圆之间的工艺差异，然而，为了解决在65纳米技术节点及以后不断增加的管芯与管芯之间(即跨晶圆)的工艺差异，工艺控制必须扩展到更精细的领域:跨晶圆级。提出了一种新的基于...
通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性
跨晶圆栅极临界尺寸(CD)的一致性会影响芯片与芯片之间在速度和功耗方面的性能差异。随着线宽减小到90 nm及以下，跨晶片CD均匀性的性能规格变得越来越严格。本文提出了一种新的方法，通过光刻和刻蚀工艺顺序来提高跨晶片栅极CD的均匀性。所提出的...
SC-2的处理晶圆清洗工艺
生长亲水氧化层的硅晶片的预处理工艺包括使晶片与预清洗SC-1浴接触的初始步骤，从而产生高度无颗粒的硅晶片表面。在去离子水冲洗之后，用含水的含有氢氟酸和盐酸的溶液，用于去除晶片表面的含金属氧化物。为了生长亲水氧化层，使用SC-2浴(含有过氧化...
华东光电集成器件研究所晶圆级自动光学检测仪招标项目国际招标公告
招标项目名称:华东光电集成器件研究所晶圆级自动光学检测仪招标项目招标产品列表(主要设备): 晶圆级自动光学检测仪 1台招标文件领购开始时间:2023-01-05招标文件领购结束时间:2023-01-12投标截止时间（开标时间）:2023-0...
超薄半导体晶圆应用及工艺
集成电路功能的持续发展现在以整个系统中所有电子元件的集成为目标。这项研究基于许多不同的半导体工艺。这些过程中的每一个在功能方面都有不同的属性，例如速度、功率等。有三个因素集中在更薄的晶圆上:对芯片卡和射频识别的低封装高度的需求，对更高功率的...