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IC制造化学清洗过程中硅上重金属污染的表面光电压监测
集成电路复杂性的持续增加，以及需要减小栅极氧化物厚度的临界尺寸的减小，产生了对更好地控制重金属污染的需求。检测硅晶片中的重金属污染物最近受到了极大的关注，这是低成本制造几个大规模集成电路的关键任务。采用表面光电压(SPV)表征方 法，建立了...
减少硅片金属污染的方法
本方法一般涉及半导体的制造，更具体地说，涉及在生产最终半导体产品如集成电路的过程中清洗半导体或 硅晶片，由此中间清洗步骤去除在先前处理步骤中沉积在相关硅晶片表面上的污染物。 典型的，在生产复杂的半导体产品，例如集成电路器件时，需要数千个加工...
多晶硅片表面过渡金属污染的影响
ABSTRACT: A method for transition metal sampling on the surface of as-cut and isotextured multicrystalline siliconwafers...
外延晶圆中金属污染的表征
Metal contamination is the dominant cause of device failure. In the case of an epitaxial (Epi) wafer, trace metal may we...
硅片水处理过程中监测金属污染的方法
An optical technique based on simple absorption spectroscopy has been demonstrated for monitoring metal contaminant depo...
化学清洗过程中重金属污染的监测方法
The continuing increase of integrated circuit (IC) complexity, and the reduction of critical dimension that requires red...
CMP后晶片表面金属污染物的清洗方法
Abstract: This paper presents a new cleaning process using boron-doped diamond (BDD) film anode electrochemical oxidatio...
硅片金属污染检测技术比较
In this work we present the results of experiments aimed at comparing the performances of various techniques for the de...
转移化学气相沉积在石墨烯的残留的金属污染
Integration of graphene with Si microelectronics is very appealing by offffering a potentially broad range of new functi...
晶体硅表面金属污染物的化学和物理
A superior control over the surface chemistry of crystalline silicon in wet and dry am-bients is an essential requiremen...