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Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附力以及添加剂对颗粒粘附和去除的作用。清洁溶液。加入柠檬酸后，由于柠檬酸盐...
用于颗粒去除实验的 Si3N4沉积技术的比较
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“> 1000个氮化物颗粒”。然而，它没有规定用于...
化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影响
在总化学物质供给量不变的情况下，具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗，这是环境友好的，并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时，与具...
稀释 HF 清洗过程中硅表面颗粒沉积的机理
摘要本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间的表面相互作用力来影响稀氟化氢溶液的清洁效...
刷洗清洗过程中的颗粒去除机理
引言随着集成电路结构尺寸的缩小，颗粒对器件成品率的影响变得越来越重要。为了确保高器件产量，在半导体制造过程中，必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷子洗涤器是用于实现这种控制的工具之一，并且它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。...
ZnO纳米颗粒生长的简单湿化学法晶体结构分析
引言ZnO作为II-VI半导体材料，室温下具有3.34 eV的宽带隙能和较大的激子结合能(60 mV)，是一种具有光电应用潜力的材料。人们从理论和实验上研究了氧化锌纳米结构。科学家和工程师认为，特定形式的氧化锌纳米结构有不同的应用。与其他纳...
用于选择性蚀刻和抗蚀剂颗粒去除的加热SC1溶液
A study of the SC1 (NH4OH:H202:H20) solution for use in both resist particulate removal and in selective wet etching of ...
满足先进半导体器件工艺要求的颗粒清洗技术
Dealing with nanometer-sized particulate contamination is still one of the major challenges during the manufacturing of ...
评估兆声波清洗系统的颗粒去除效率和破坏性
In future semiconductor technology generations cleaning processes will face the challenge of removing nano-particles wit...
湿法清洗系统中泵脉动对晶片表面颗粒污染的影响
The effects of pumping method on wafer cleaning were investigated. Two types of pump such as diaphragms and centrifugal ...