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基于氧化的 AlGaN 或 GaN 异质结构湿法刻蚀方法
氮化镓（GaN）及相关铝基合金(AlGaN)是下一代高频和高功率的优秀电子材料。然而，到目前为止，砷化镓基材料的湿蚀刻技术很少，因为它们在化学和物理上都是使用干蚀刻。干法蚀刻技术通常利用强的物理蚀刻成分，可能导致离子对半导体的损伤和较差的选...
中国科学院半导体研究所离子束刻蚀系统采购项目国际招标公告
招标项目名称:中国科学院半导体研究所离子束刻蚀系统采购项目招标产品列表(主要设备): 离子束刻蚀系统 招标文件领购开始时间:2022-12-29招标文件领购结束时间:2023-01-06投标截止时间（开标时间）:2023-01-19 13:...
SC1/SC2蚀刻后Si表面的分析
引言本文首次提出了由标准SC1/SC2腐蚀周期引起的Si (100)表面改性的证据。SC1/SC2蚀刻(也称为RCA清洗)通过NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀释的HF中去除氧化物，通过HCl:H2O2:H2O混合物进一步氧化，...
侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用
引言我们证明了四甲基氢氧化铵溶液对不同取向的芯片侧壁具有不同的刻蚀能力，因为芯片侧壁的取向决定了氮化镓(GaN)暴露的晶面，这些晶面对四甲基氢氧化铵溶液具有不同的化学稳定性。TMAH刻蚀处理后，在暴露m面氮化镓的侧壁上观察到三棱镜。对于所研...
通过紫外线辅助光蚀刻技术实现的湿式蚀刻
引言我们使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小。暴露于紫外线辐射时溶液酸碱度的变化被认为是获...
湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点
引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv)临界直径接近6 nm时小，(v)可大量生产用于生...
用兆声搅拌模块改湿刻蚀的特性
引言近年来，小尺寸、轻重量、低生产成本和可再现的可制造性的器件变得非常重要。通过湿法蚀刻单晶硅或玻璃的微机械加工可以符合这些严格的要求。硅或玻璃的湿法蚀刻是体微机械加工的关键技术，用于生产微器件，如压力传感器的隔膜、光纤对准的V形槽和生物芯...
非晶碳层的刻蚀特性研究
介绍随着半导体器件的小型化和超大规模集成(VLSI)电路的图案密度的增加，单个光致抗蚀剂掩模不再适用于细线图案化和接触图案化。 尽管单光刻胶掩模工艺被认为是器件制造中的简单工艺，但在接触氧化物期间，它对光刻胶掩模层的氧化物蚀刻选择性低光刻从...
刻蚀后残留物的去除方法
关键词:通孔，等离子蚀刻，溅射金，电化学沉积金，BCB。 引言化合物半导体处理通常使用高密度等离子体蚀刻来建立通孔金属接触，该通孔金属接触通常在诸如金(Au)的惰性金属上停止。蚀刻工艺可以从正面或背面穿过衬底和/或有机电介质，例如聚酰亚胺或...
碳化硅薄膜的选择性刻蚀
本文讲师了一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。 介绍本文涉及半导...