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上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目国际招标公告(深沟槽等离子刻蚀机)
招标项目名称:上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目招标产品列表(主要设备):深沟槽等离子刻蚀机1台招标文件领购开始时间:2023-11-16招标文件领购结束时间:2023-11-23开标时间:2023-12-07 10:00招标人:...
中国科学院半导体研究所抗辐照半导体材料先进等离子体刻蚀设备采购项目国际招标公告
招标项目名称:中国科学院半导体研究所抗辐照半导体材料先进等离子体刻蚀设备采购项目招标产品列表(主要设备):抗辐照半导体材料先进等离子体刻蚀设备 1招标文件领购开始时间:2023-11-27招标文件领购结束时间:2023-12-04开标时间:...
InAlAs InGaAs HEMT制程中栅槽刻蚀问题分析
我们开发了一种InAlAs/InGaAs异质高电子迁移率晶体管器件制造工艺，其中栅极长度可以在0.13 μm–0.16 μm范围内调节，以适应预期的应用。核心工艺是一个两步电子束光刻工艺，使用三层光刻胶和柠檬酸刻蚀工艺。开发了一个电子束光刻...
甬江实验室采购离子束刻蚀和离子束溅射设备项目国际招标公告
招标项目名称:甬江实验室采购离子束刻蚀和离子束溅射设备项目招标产品列表(主要设备):离子束刻蚀设备1套招标文件领购开始时间:2023-12-05招标文件领购结束时间:2023-12-12开标时间:2023-12-26 09:00招标人:甬江...
氮化镓刻蚀机国际招标公告
招标项目名称:氮化镓刻蚀机招标产品列表(主要设备): 氮化镓刻蚀机（HEMT器件工艺） 1套；氮化镓刻蚀机（Micro-LED器件工艺）1套招标文件领购开始时间:2023-12-11招标文件领购结束时间:2023-12-18开标时间:202...
甬江实验室采购离子束刻蚀和离子束溅射设备项目（重招）国际招标公告
招标项目名称:甬江实验室采购离子束刻蚀和离子束溅射设备项目（重招）招标产品列表(主要设备): 离子束刻蚀设备 1套招标文件领购开始时间:2023-12-13招标文件领购结束时间:2023-12-20开标时间:2024-01-03 09:30...
半导体资料丨碳化硅、化学刻蚀、激光二极管、化学机械抛光、Si3N4
SiC掺杂剂选择性光电化学蚀刻Single crystalline 4H-SiC is a wide-gap semiconductor with optical properties that are poised to enable n...
半导体资料丨颗粒、表面清洗工艺、熔融石英玻璃、硅腐蚀
半导体应用中颗粒形成、传输、沉积和过滤的基础研究 在半导体制造过程中，防止和控制颗粒污染是提高半导体产率的关键。为了控制和减少半导体制造过程中的纳米颗粒污染，应该同时研究颗粒的形成、输运、沉积和过滤。本文研究的目的是1)证明无颗粒环境中的颗...
半导体资料丨湿法刻蚀锗，过氧化氢点解刻蚀，Cu电镀
用湿法腐蚀法从块状锗衬底上制备亚10 um厚的锗薄膜 Low-detect density Ge thin films are crucial for studying the impact of deect density on the ...
稀有气体对ACL对SiO 2薄膜刻蚀选择性的影响
Abstract In this study, we investigated the effect of Ar/He mixing ratio in the tetrafluoromethane/perfluorocyclobutane/...