湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
刻蚀相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: 刻蚀
KOH硅湿化学刻蚀
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高，而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上...
晶片表面刻蚀工艺对碳硅太阳能电池特性的影响
为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响，我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺（碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻）以及两步蚀刻工艺（碱性溶液+ MACE和碱性溶液+ RIE）来进...
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好...
LiNbO3刻蚀速率与晶体取向的关系
引言铌酸锂是一种广泛应用于光学和声表面波器件的铁电材料。铌酸锂通常不用于微机电系统(MEMS)应用，部分原因是铌酸锂的体微加工不如与其他材料的加工那样好理解。已经公布了硅和石英对晶体取向的完全蚀刻率依赖性的数据，这允许模拟这些晶体的蚀刻。锗...
LiNbO3选择性刻蚀的研究
随着制造技术的不断进步，特别是基于纳米或微米结构的制造，已经研究出了具有强光学限制的各种制造工艺.两种最广泛使用的基于扩散的制造波导的方法已经在超导材料中得到了很好的确立，即钛热扩散和质子交换方法。本文结合理论模拟和实验，综合分析了所提出的...
氮化硅钝化层的选择性湿法刻蚀
氮化硅钝化层的选择性去除在半导体器件的失效分析中非常重要。典型的应用有:光学显微镜和去除表面污染物的模具表面清洁、电子显微镜、液晶、电压对比、电子束测试、机械微探针和选择性逐层剥离。开发了一种新的氮化硅钝化层湿法腐蚀工艺，这种工艺比铝金属化...
硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响
本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在（111）择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同时间被蚀刻，并通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光...
用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻
分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。 本文主要目的是评...
二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的机理观察
关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 本文研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为5...
次氯酸钠对单晶硅表面的纹理蚀刻
单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔，它们在器件中有很大的应用。通过碱性蚀刻剂对硅(100)的单晶结构进行的表面纹理化被称为“随机金字塔”。晶体硅的表面纹理化通过使用不同的...