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LiNbO3刻蚀速率与晶体取向的关系
引言铌酸锂是一种广泛应用于光学和声表面波器件的铁电材料。铌酸锂通常不用于微机电系统(MEMS)应用，部分原因是铌酸锂的体微加工不如与其他材料的加工那样好理解。已经公布了硅和石英对晶体取向的完全蚀刻率依赖性的数据，这允许模拟这些晶体的蚀刻。锗...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
摘要本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放孔，...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放孔，...
单晶锗刻蚀速率的研究
A study has been made of the rate at which single-crystal germanium is etched under various conditions. For simplicity,...