湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
KOH相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: KOH
KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻
引言本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量，随着退火温度的增加，材...
不同KOH和异丙醇浓度溶液中Si面蚀刻各向异性的研究
引言氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力，改变了硅的蚀刻各向异性，显著降低了(110)和(hh1)面的蚀刻速率，并在较小程度上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。...
温度对KOH溶液中多晶硅电化学纹理化的影响
湿化学蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶硅，氢氧化钾溶液被广泛使用，因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理，从而增强单晶硅晶片的光吸收。对于多晶硅晶片，表面纹理化通常通过在含HF/HNO 3的溶液中进行酸性蚀刻来实现。酸性...
KOH刻蚀的颗粒沉积
KOH etching is widely used in connection with micromachining of microelectromechanical systems ~ MEMS! . As an example, ...
KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响
1. Introduction The performance of GaN-based devices is significantly influenced by the quality of the metallic contac...
KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻
Introduction Much progress has recently been made in the areas of growth, dry etching, implant isolation, and doping of ...
KOH和 HCl处理后氧化铟锡表面的表征
The extraction of the light produced by an organic light emitting diode has been made possible by the use of transparent...
用深纳米孔阵列增强了KOH处理后的InGaN/GaNled的阴极发光
Square lattice nano-hole arrays with diameters and periodicities of 200 and 500 nm, respectively, are fabricated on InG...
控制和改进KOH蚀刻的方法
KOH蚀刻使用氢氧化钾溶液蚀刻硅晶片。蚀刻速率受浴温、氢氧化钾浓度、硅晶格的取向和可能的硅掺杂的影响。这些因素中的每一个都有助于确定蚀刻在水平和垂直方向上进行的速度。硅的立方晶格在不同方向上具有不同的原子密度。以蚀刻在给定方向上进行得更快的...
用于替代 KOH硅湿法蚀刻的聚合物掩模保护
A new cost-effective setup for silicon bulk micromachining is presentedwhich makes use of a polymeric protective coating...