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KOH 制绒溶液和添加剂的电导率和 pH 值测量之间的相关性
The ability to control the chemical concentration of etching baths is a critical step in being able to achieveuniform an...
硅纳米加工中KOH湿法蚀刻工艺的优化
The simple wet etching process for nanostructureformation seems straightforward. But, how far the wetetching process can...
增强微滴发生器喷嘴阵列的制造：优化微流体应用的KOH蚀刻
Ultrasonic microdroplet generators are useful devices with broad applications ranging from aerosolized drug delivery to...
KOH湿法刻蚀下GaN纳米柱的刻面机制
摘要本研究提出了一种通过顶向（top-down）方法，结合等离子体蚀刻和室温氢氧化钾（KOH）湿处理工艺，实现具有所需m-（甚至a-）取向非极性面的GaN柱的策略。事实上，GaN在KOH溶液中的蚀刻是一个各向异性过程，这意味着它允许在宏观尺...
III族氮化物微柱KOH湿法刻蚀表面钝化的分析研究
SUMMARYIII-Nitride micropillar structures show great promise for applications in micro light-emitting diodes and vertica...
III族氮化物微柱KOH湿法蚀刻表面钝化的分析研究
SUMMARYIII-Nitride micropillar structures show great promise for applications in micro light-emitting diodes and vertica...
KOH Etch
氢氧化钾 (KOH) 蚀刻是一种湿法化学蚀刻工艺，用于在硅中创建空腔。高腐蚀性碱性化合物 (pH > 12) 与去离子水和热调节结合使用。蚀刻速率有限；Si 蚀刻的精度取决于整个纳米化学过程的一致性。该工艺可实现制造 Si 晶圆的最佳精度。...