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KOH硅湿化学刻蚀
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高，而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上...
KOH和 HCl处理后氧化铟锡表面的表征
通过使用透明导电材料，有机发光二极管产生的光的提取已经成为可能，该透明导电材料应该具有明确定义的电子和光学特性。铟锡氧化物满足了所有要求，它已迅速成为用于有机发光源生长的最常见的导电衬底。原子力显微镜、常规的x光光发射光谱和扫描光发射光谱显...
晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度...
低浓度 KOH 中的各向异性蚀刻
引言在使用湿化学硅体微机械加工制造微机电系统时，使用碱性溶液，如氢氧化钾、氢氧化四甲铵和氢氧化铵。除了微机械加工之外，碱性溶液还用于单晶硅的表面纹理化，以降低反射率并改善高效硅太阳能电池的光捕获。在碱性溶液中，TMAH和KOH最广泛地用于湿...
表面活性剂添加剂对碱性KOH溶液中Si晶面表面粗糙度的影响
碱性溶液中硅的各向异性刻蚀广泛用于微机电系统(MEMS)中的体微加工。单晶硅的各向异性湿法刻蚀依赖于其晶面的不同刻蚀速率，已被用于制造各种微机电系统器件。在所有的各向异性蚀刻剂中，无机氢氧化钾(氢氧化钾)是最常用的，因为它易于制备且毒性较小...
醇类添加剂对 KOH溶液蚀刻特性的影响
引言湿化学蚀刻硅体微加工是制造不同类型微机械结构的关键步骤。对各种形状的三维结构有很高的需求。然而，可能获得的结构范围是有限的。限制主要来自于有限数量的适用蚀刻溶液。这种解决方案强加了蚀刻速率的各向异性，最终决定了最终蚀刻图形的形状。由于合...
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造
引言我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意非球面。我们讨论了决定成形零件精度和最终表面质量的因素。我们演示了1毫...
外延成分对 N 面 GaN KOH蚀刻动力学的影响
发光二极管(LED)已成为近30年现代节能照明技术的基础。通过各向异性蚀刻n面氮化镓的蚀增是当今生产蓝白发光二极管(led)的关键方面。表面积和表面角度的数量都增加了，有利于光从发光二极管芯片耦合输出。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)...
硅KOH蚀刻：凸角蚀刻特性
引用本文研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术的几种方法。传统上，方向光束用于补偿凸角上的底切。发现这种方法对于锐角凸...
在KOH溶液中使用湿法蚀刻制备具有ZnO纳米管的倒置有机太阳能电池
摘要我们讲述了倒置有机太阳能电池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化锌薄膜采用简单的水溶液路线沉积在ITO/玻璃溶液上。氧化锌薄膜通过湿化学蚀刻得到氧化锌纳米结构。与使用氧化锌薄膜的IOSC相比，用氧化锌纳米制备的IOSCs中短路电流的增...