湿法解决方案
半导体资材
泛半导体湿法实验室
数据库
湿法解决方案
半导体资材
泛半导体湿法实验室
数据库
工艺中心
设备中心
数据资料
加入生态链
氢氟酸相关内容
当前位置:
网站首页
TAG: 氢氟酸
应用领域
/ Application
A
集成电路
分立器件
光电器件
传感器
资讯
/ News
N
集团动态
行业新闻
半导体资材资讯
联系我们
/ Contact Us
C
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
联系人:徐先生
联系电话:18915583058
含 HF 的有机清洗液中的铜薄膜溶解
我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为。采用电感耦合等离子体质谱监测Cu2+,利用x射线光电子谱监测硅片表面的氧化态,研究了薄膜铜的溶解和反应动力学。确定了反应动力学相对于心衰和氧浓度都是一阶的。提出了一...
氢氟酸溶液中多孔硅的形成
引言我们研究了四种硅在高频水溶液中的阳极电流-电势特性。根据不同电位阳极氧化的样品的表面条件,电流-电位曲线上通常有三个区域:电流随电位指数变化区域的多孔硅形成,恒流区域的硅的电泳抛光,以及两者之间的过渡区域。图中给出了所研究的硅样品的多孔...
二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的机理观察
关键词:玻璃陶瓷;氢氟酸;蚀刻条件;蚀刻速率;机制 引言 本文研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明,在室温下,非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218倍。此外,堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为5...
用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO...
氢氟酸蚀刻后氧化碳化硅表面的化学性质
Abstract:Hydrogen termination of oxidized silicon in hydrofluoric acid results from an etching processthat is now well u...
SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
The reaction stops at the Si surface and leaves the surface hydrogen passivated. This property is of the utmost importa...
氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻
Lithium niobate LiNbO3 is a material widely used in integrated optics because it possesses large nonlinear optical, pie...
半导体晶片的氢氟酸和盐酸蒸汽处理
Disclosed are methods and apparatuses for combined etching and cleaning of semiconductor wafers and the like preferabl...
用硝酸和氢氟酸刻蚀硅的研究
摘要:本文提出了一种数字蚀刻方法,以实现对蚀刻深度的精确控制。该方法使用HNO3氧化和BOE氧化物去除工艺的组合,对p+ Si和Si0.7Ge0.3的数字蚀刻特性进行了研究。实验表明,由于低激活能,氧化会随着时间的推移而饱和。提出了一种物理...
在不同浸泡时间下用高浓度氢氟酸蚀刻时观察到氧化锆表面性质的变化
This study investigated the degree of phase transformation, surface roughness, and bond strength of zirconia immersed fo...
共10条
1