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SC1/SC2蚀刻后Si表面的分析
引言本文首次提出了由标准SC1/SC2腐蚀周期引起的Si (100)表面改性的证据。SC1/SC2蚀刻(也称为RCA清洗)通过NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀释的HF中去除氧化物，通过HCl:H2O2:H2O混合物进一步氧化，...
用于选择性蚀刻的加热SC1溶液
摘要本文报道了对SC1(nh4OH：H202：H20)溶液的研究，可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1：2：10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多晶硅和热氧化物等薄膜的刻蚀速率。薄膜...
用于选择性蚀刻和抗蚀剂颗粒去除的加热SC1溶液
A study of the SC1 (NH4OH:H202:H20) solution for use in both resist particulate removal and in selective wet etching of ...