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湿法化学蚀刻硅太阳能电池的光电特性
通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳...
湿法化学清洗过程中Si表面原生氧化物的不均匀性
本文研究了湿化学清洗过程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均匀性。均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定。由于光激发氟蚀刻硅的速度比蚀刻氧化硅快40倍，它突出了硅表面上的硅原生氧化物，使它们可以通过扫描隧道显微镜或原子力显微镜观察到。...
用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻
分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。 本文主要目的是评...
侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用
引言我们证明了四甲基氢氧化铵溶液对不同取向的芯片侧壁具有不同的刻蚀能力，因为芯片侧壁的取向决定了氮化镓(GaN)暴露的晶面，这些晶面对四甲基氢氧化铵溶液具有不同的化学稳定性。TMAH刻蚀处理后，在暴露m面氮化镓的侧壁上观察到三棱镜。对于所研...
湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点
引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv)临界直径接近6 nm时小，(v)可大量生产用于生...
通过简单的湿化学法合成ZnO结构的形态控制
引言氧化锌是最吸引人的半导体材料之一 ，因为它具有直接带隙、强发光、高热导率等特性。除此之外，它在不同技术领域(光学、光电子学、催化、压电、太阳能电池、超疏水表面、生物传感器等)都具有很大的潜力。本文讲述了一种合成氧化锌颗粒的湿式化学方法。...
氮化铝单晶的湿法化学蚀刻
引言氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而，GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化镓之间的化学相容性和晶格/热膨胀匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延...
砷化镓晶片的湿式化学蚀刻
引言外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料，商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限，例如硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟...
晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法
引言高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中，电池的两面都被纹理化，导致表面相当粗糙，这对背面是不利的。因此，在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。随后，使用双面扩散工艺来构造发射器。为了避免太阳能电池的前侧和后侧之间的...
湿法化学处理对锗晶片表面影响的研究
IntroductionDue to its excellent low field mobility [1], germanium has recently re-emerged as an alternative to silicon ...