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侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用
引言我们证明了四甲基氢氧化铵溶液对不同取向的芯片侧壁具有不同的刻蚀能力，因为芯片侧壁的取向决定了氮化镓(GaN)暴露的晶面，这些晶面对四甲基氢氧化铵溶液具有不同的化学稳定性。TMAH刻蚀处理后，在暴露m面氮化镓的侧壁上观察到三棱镜。对于所研...
湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点
引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv)临界直径接近6 nm时小，(v)可大量生产用于生...
砷化镓晶片的湿式化学蚀刻
引言外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料，商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限，例如硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟...
半导体湿法化学刻蚀工艺观察
This paper concerns with the basic investigations on the wet chemical etching of semiconductors. First, a method to obse...
硅的湿法化学刻蚀机理
ABSTRACT We review what can be said on wet chemical etching of single crystals from the viewpoint of the science of c...
晶体硅各向异性湿法化学刻蚀过程中的表面形貌
Abstract. The rich variety of micron-scale features observed in the orientationdependent surface morphology of crystalli...