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KOH硅湿化学刻蚀
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高，而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上...
氮化硅钝化层的选择性湿法刻蚀
氮化硅钝化层的选择性去除在半导体器件的失效分析中非常重要。典型的应用有:光学显微镜和去除表面污染物的模具表面清洁、电子显微镜、液晶、电压对比、电子束测试、机械微探针和选择性逐层剥离。开发了一种新的氮化硅钝化层湿法腐蚀工艺，这种工艺比铝金属化...
基于氧化的 AlGaN 或 GaN 异质结构湿法刻蚀方法
氮化镓（GaN）及相关铝基合金(AlGaN)是下一代高频和高功率的优秀电子材料。然而，到目前为止，砷化镓基材料的湿蚀刻技术很少，因为它们在化学和物理上都是使用干蚀刻。干法蚀刻技术通常利用强的物理蚀刻成分，可能导致离子对半导体的损伤和较差的选...
通过紫外线辅助光蚀刻技术实现的湿式蚀刻
引言我们使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小。暴露于紫外线辐射时溶液酸碱度的变化被认为是获...
用兆声搅拌模块改湿刻蚀的特性
引言近年来，小尺寸、轻重量、低生产成本和可再现的可制造性的器件变得非常重要。通过湿法蚀刻单晶硅或玻璃的微机械加工可以符合这些严格的要求。硅或玻璃的湿法蚀刻是体微机械加工的关键技术，用于生产微器件，如压力传感器的隔膜、光纤对准的V形槽和生物芯...
单片湿法刻蚀稀释氟化氢二氧化硅薄膜表面化学反应模型
A surface chemical reaction model of silicon dioxide fifilm etching by hydrogen flfluoride aqueous solution using a sing...
硅各向异性湿法刻蚀剖面演化的三维模拟
1. IntroductionRefifined control of etched profifiles is one of the most important tasks of MEMS manufacturing process. ...
基于湿法刻蚀工艺的MEMS结构的研究
Abstract In this paper, fabrication methods are developed in order to realize the silicon microelectromechanical systems...
湿法刻蚀三维集成电路硅片减薄技术
INTRODUCTIONSemiconductors have been miniaturized by applying Moore’s Law. However, developments toward miniaturization...
基于氧化的 AlGaN 或 GaN 异质结构湿法刻蚀方法
In this study, a novel wet etching technique for AlGaN/GaN heterostructures using dry thermal oxidation followed by wet ...